| 摘要 |
<P>Le dispositif comporte successivement une première électrode (12), une couche de référence (1) magnétique, une barrière tunnel (3), une couche de stockage (4) magnétique et une seconde électrode (13). Au moins une première barrière thermique est disposée entre la couche de stockage (4) et la seconde électrode (13) et constituée par un matériau ayant une faible conductivité thermique. Une deuxième barrière thermique peut être constituée par une couche disposée entre la première électrode (12) et la couche de référence (1). Une phase d'écriture du procédé comporte la circulation d'un courant électrique (I1), à travers la jonction tunnel, de la couche de stockage (4) vers la couche de référence (1), tandis qu'une phase de lecture comporte la circulation d'un courant électrique (12) dans le sens inverse.</P> |
