| 发明名称 |
CONDENSATEUR MEMOIRE D'UN TYPE POUR IMAGEUR A SEMI-CONDUCTEURS |
| 摘要 |
<P>Condensateur mémoire du type pour imageur à semi-conducteurs. L'imageur comporte plusieurs pixels (210) disposés sur un substrat suivant une combinaison de matrice d'imagerie. Chaque pixel (210) comporte un photodétecteur (205) couplé à un transistor de commutation (230) à couche mince. Plusieurs lignes de balayage (150) sont disposées à un premier niveau par rapport au substrat sur un premier axe, plusieurs lignes de données sont disposées à un deuxième niveau sur un deuxième axe de la matrice d'imagerie. Chaque pixel (210) comporte un condensateur mémoire (211) couplé en parallèle au photodétecteur (205), le condensateur mémoire (211) comportant une électrode (216) de condensateur mémoire et une électrode commune (212) de condensateur.</P>
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| 申请公布号 |
FR2860921(A1) |
申请公布日期 |
2005.04.15 |
| 申请号 |
FR20040010697 |
申请日期 |
2004.10.11 |
| 申请人 |
GENERAL ELECTRIC COMPANY |
发明人 |
LEE JI UNG;ALBAGLI DOUGLAS;POSSIN GEORGE EDWARD;HENNESSY WILLIAM ANDREW;WEI CHING YEU |
| 分类号 |
G01T1/20;G02F1/136;H01L21/02;H01L27/14;H01L27/146;H01L31/09;(IPC1-7):H01L27/146 |
主分类号 |
G01T1/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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