发明名称 |
Herstellungsverfahren einer NICHTFLÜCHTIGEN HALBLEITER-SPEICHERZELLE |
摘要 |
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申请公布号 |
DE50009732(D1) |
申请公布日期 |
2005.04.14 |
申请号 |
DE20005009732 |
申请日期 |
2000.06.09 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
LUDWIG, CHRISTOPH;SCHREMS, MARTIN |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;(IPC1-7):H01L21/28;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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