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发明名称 Method of forming gate oxide layer in semiconductor devices
摘要
申请公布号 KR100482372(B1) 申请公布日期 2005.04.14
申请号 KR20020076230 申请日期 2002.12.03
申请人 发明人
分类号 H01L21/31;H01L21/28;H01L21/314;H01L29/51;(IPC1-7):H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
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