| 发明名称 |
Method of etching silicon anisotropically |
| 摘要 |
A method for etching Si anisotropically uses a solution containing NH4F and HF.
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| 申请公布号 |
US2005079714(A1) |
申请公布日期 |
2005.04.14 |
| 申请号 |
US20040943017 |
申请日期 |
2004.09.17 |
| 申请人 |
HUANG TENG-WANG;SCHUPKE KRISTIN |
发明人 |
HUANG TENG-WANG;SCHUPKE KRISTIN |
| 分类号 |
C23F1/24;H01L21/302;H01L21/306;H01L21/311;H01L21/461;(IPC1-7):H01L21/302 |
主分类号 |
C23F1/24 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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