Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement mit Praseodymoxid-Dielektrikum

摘要

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement und dazugehöriges Herstellungsverfahren mit einer siliziumhaltigen Schicht, einer Praseodymoxidschicht und einer zwischen der siliziumhaltigen Schicht und der Praseodymoxidschicht angeordneten, silizium-, praseodym- und sauerstoffhaltigen Mischoxidschicht. Mit Hilfe der Mischoxidschicht kann einerseits die Kapazität des Bauelements verbessert werden und eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit ohne die Notwendigkeit einer Siliziumoxid-Zwischenschicht erzielt werden.