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Ein elektrisch leitender Kontakt zum Anschluß eines integrierten Bauelementes (2) an eine Leitbahn (38') wird hergestellt, indem, ausgehend von einer auf einem Substrat (1) gebildeten Gateelektrode (16) mit Rundumisolation, umfassend einen Spacer (18) und einen Nitriddeckel (19), ein Liner (20) konform auf die Gateelektrode und das Substrat angeschieden wird. Danach wird eine Opferschicht (22) auf dem Liner abgeschieden und planarisiert, bis eine Oberfläche des Nitriddeckels (19) der Rundumisolation freigelegt wird. Die Opferschicht (22) wird durch einen fotolithografischen Prozeß, welcher die späteren Kontakte (36, 37) definiert, strukturiert. Durch eine entsprechende Maske wird die Schicht (22) in einem gegenüber dem folgenden Ätzvorgang abgeschatteten Teilbereich oberhalb von Kontaktanschlußgebieten (10, 12) überdeckt und somit zunächst nicht entfernt. Ein Zwischenebenenisolator (32) wird abgeschieden und strukturiert, so daß die Opferschicht (22) nun aus dem Teilbereich herausgelöst werden kann. Nach Entfernen des Liners (20) wird eine leitfähige Schicht (38) in den durch das Herauslösen gebildeten Hohlraum auf den freigelegten Kontaktanschlußgebieten (10, 12) und optional in innerhalb des Zwischenebenenisolators (32) vorab gebildete Gräben abgeschieden.
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