发明名称 | 用于等离子体溅射的与旋转磁控管结合的磁体阵列 | ||
摘要 | 辅助磁体的阵列(60)沿磁控溅射反应器的侧壁(14)一边设置,该边从靶(16)的一边对着晶片。该磁控管优选为一个小而强的磁控管,其具有第一磁极性的强度较高的外磁体(42),外磁体围绕具有第二磁极性的强度较弱的磁体,且该磁控管绕室中心轴(38)旋转。该辅助磁体优选具有第一磁极性以吸引不平衡的磁场分量投向晶片。该辅助磁体可为永磁体(62)或电磁体(90)。 | ||
申请公布号 | CN1606795A | 申请公布日期 | 2005.04.13 |
申请号 | CN02822495.7 | 申请日期 | 2002.11.07 |
申请人 | 应用材料有限公司 | 发明人 | P·丁;R·陶;Z·徐 |
分类号 | H01J37/34 | 主分类号 | H01J37/34 |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
主权项 | 1.一种等离子体溅射反应器,其包括:真空室,其侧壁绕中心轴设置;基座,其用于在所述真空室中支撑基片;溅射靶,其沿着所述中心轴,面对所述基座设置,加工空间在所述基座,所述靶和所述侧壁之间的区域形成;磁控管,其设置在所述靶一侧,面对所述加工空间;以及辅助磁体,其沿着所述中心轴,至少部分地绕所述加工空间设置,并具有第一磁极性。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |