发明名称 用于等离子体溅射的与旋转磁控管结合的磁体阵列
摘要 辅助磁体的阵列(60)沿磁控溅射反应器的侧壁(14)一边设置,该边从靶(16)的一边对着晶片。该磁控管优选为一个小而强的磁控管,其具有第一磁极性的强度较高的外磁体(42),外磁体围绕具有第二磁极性的强度较弱的磁体,且该磁控管绕室中心轴(38)旋转。该辅助磁体优选具有第一磁极性以吸引不平衡的磁场分量投向晶片。该辅助磁体可为永磁体(62)或电磁体(90)。
申请公布号 CN1606795A 申请公布日期 2005.04.13
申请号 CN02822495.7 申请日期 2002.11.07
申请人 应用材料有限公司 发明人 P·丁;R·陶;Z·徐
分类号 H01J37/34 主分类号 H01J37/34
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 赵蓉民
主权项 1.一种等离子体溅射反应器,其包括:真空室,其侧壁绕中心轴设置;基座,其用于在所述真空室中支撑基片;溅射靶,其沿着所述中心轴,面对所述基座设置,加工空间在所述基座,所述靶和所述侧壁之间的区域形成;磁控管,其设置在所述靶一侧,面对所述加工空间;以及辅助磁体,其沿着所述中心轴,至少部分地绕所述加工空间设置,并具有第一磁极性。
地址 美国加利福尼亚州