| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 用于制造一个半导体器件的一个方法，包括准备多个批次，每一个批次包括需要被进行处理的半导体衬底，多个批次包括至少第一和第二批次，使用一个半导体制造装置来处理多个批次中的每一个批次，在对第二个批次进行处理以前，判断是否需要对半导体制造装置进行清洗，这取决于需要被处理的第一批次的第一处理类型和在第一批次后需要被处理的第二批次的第二处理类型，和在第二批次不需要进行清洗的情形下不进行清洗来对第二批次进行处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1197122C | 申请公布日期 | 2005.04.13 |
| 申请号 | CN02108711.3 | 申请日期 | 2002.03.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 成田雅贵;奥村胜弥;大岩德久 |
| 分类号 | H01L21/00;C23F4/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种利用半导体制造装置逐个批次地处理包含半导体衬底在内的多个批次的半导体器件制造方法，其特征在于：至少包括要被依次处理的、处理类型相同或不同的第一批次及第二批次；当第一批次和第二批次的处理类型相同时，在对所述第二批次进行处理之前，不对所述半导体制造装置进行清洗地处理所述第二批次。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||