| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括：利用碳氟化合物气体对半导体晶片进行干蚀刻，该半导体晶片包括形成于半导体衬底上并被绝缘膜覆盖的铜层，以便部分除去该绝缘膜，从而至少局部暴露该铜层的表面。对至少局部暴露其表面的铜层进行氮等离子体处理。将具有氮等离子体处理的铜层的半导体晶片暴露于大气中，并接着对该半导体晶片进行表面处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1606149A | 申请公布日期 | 2005.04.13 |
| 申请号 | CN200410089959.3 | 申请日期 | 2004.10.08 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 大村光广;片野真希子;伊藤彰子;松下贵哉;金子尚史 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/3065;H01L21/306;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括：利用碳氟化合物气体对半导体晶片进行干蚀刻，该半导体晶片包括形成于半导体衬底上并被绝缘膜覆盖的铜层，以便部分除去该绝缘膜，从而至少局部暴露该铜层的表面；对至少局部暴露其表面的铜层进行氮等离子体处理；将具有氮等离子体处理的铜层的半导体晶片暴露于大气中，并接着对该半导体晶片进行表面处理。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||