| 发明名称 | 光调制器 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于提供一种光调制器，该光调制器可在不使消光特性变差的情况下，仅仅使线性调频脉冲减小。在阱层(10)和n侧的阻挡层(12)之间插入中间层(11)，对阱层(10)施加张力变形，在阻挡层(12)的带隙Eb(eV)，阱层(10)的带隙Ew(eV)，中间层11的带隙Em(eV)之间，可保持Ew＜Em＜Eb的关系。还可形成下述张力变形量子阱结构，其具有在具有这3种层的张力变形的量子阱结构上，添加另一层的4种层。该另一层的带隙为阱层(10)与中间层(11)之间的带隙，或中间层(11)与阻挡层(12)之间的带隙。在每1个周期的量子阱(8a)中，层数为任何数量。 | ||
| 申请公布号 | CN1196954C | 申请公布日期 | 2005.04.13 |
| 申请号 | CN02156335.7 | 申请日期 | 2002.11.06 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 宫崎泰典 |
| 分类号 | G02F1/025 | 主分类号 | G02F1/025 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种光调制器，该光调制器在p型半导体和n型半导体之间，具有多重量子阱的吸收层，其特征在于，该多重量子阱的1个周期的结构具有：阻挡层，该阻挡层在接近p型半导体侧具有第1带隙；阱层，该阱层与上述阻挡层连接，并且在比上述阻挡层更靠近n型半导体一侧，具有小于第1带隙的第2带隙；中间层，该中间层与上述阱层连接，并且在比上述阻挡层更靠近n型半导体一侧，具有大于第2带隙，且小于第1带隙的第3带隙；阻挡层，该阻挡层位于比上述中间层更靠近n型半导体侧；上述阱层，具有张力变形。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||