| 发明名称 | 半导体存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体存储装置及其制造方法。该半导体存储装置，具有存储元件的阵列结构，包括：在第一方向上延伸的第一布线(13)；在与第一方向不同的第二方向上延伸的第二布线(23)；和在第一布线(13)和第二布线(23)之间配置的用于存储元件的磁致电阻效应元件，该磁致电阻效应元件具有磁化固着层(18)、磁记录层(20)、以及夹在磁化固着层(18)和磁记录(20)之间的隧道壁垒层(19)，磁记录层(20)与第二布线(23)接触，且磁记录层(20)沿第二布线(23)从存储元件的内侧区域延伸到位于多个存储元件之上的外侧区域，且金属层(17)与磁化固着层(18)接触并与第一布线(13)分离。 | ||
| 申请公布号 | CN1197158C | 申请公布日期 | 2005.04.13 |
| 申请号 | CN02116123.2 | 申请日期 | 2002.04.19 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 细谷啓司;中岛健太郎 |
| 分类号 | H01L27/00;G11C11/02;G11C11/14;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，具有存储元件的阵列结构，包括：在第一方向上延伸的第一布线(13)；在与上述第一方向不同的第二方向上延伸的第二布线(23)；和在上述第一布线(13)和上述第二布线(23)之间配置的用于上述存储元件的磁致电阻效应元件，该磁致电阻效应元件具有磁化固着层(18)、磁记录层(20)、以及夹在上述磁化固着层(18)和磁记录(20)之间的隧道壁垒层(19)，上述磁记录层(20)与上述第二布线(23)接触，且上述磁记录层(20)沿上述第二布线(23)从上述存储元件的内侧区域延伸到位于多个存储元件之上的外侧区域，且金属层(17)与上述磁化固着层(18)接触并与上述第一布线(13)分离。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||