垂直MOS晶体管

摘要

提供一种垂直MOS晶体管，其中改善了高频特性，实现了低电压工作，获得了波动小的稳定特性。沟槽栅氧化之后，采用倾斜离子注入在侧壁形成体区，形成栅电极之后，采用倾斜离子注入形成低浓度源区，从而抑制了栅和源之间的电容以及栅和漏之间的电容。当采用上述体区形成方法时，沟道区的漏和源之间的杂质分布也得以均匀。此外，由于沟道长度决定于腐蚀设备，通过对沟槽腐蚀和栅电极腐蚀采用相同的设备，能够获得稳定沟道长度。

主权项

1.一种垂直金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体衬底，包含第一导电类型的高浓度层和位于高浓度层上的外延层，外延层具有第一导电类型，其浓度低于高浓度层的浓度；凹槽部位，从半导体衬底主表面朝向第一导电类型的高浓度层而形成，其具有的深度不达到第一导电类型的高浓度层；绝缘膜，覆盖凹槽部位内的侧面和底面；多晶硅制成的栅电极，与绝缘膜接触并且埋置在凹槽部位；第一导电类型的高浓度源区，形成在凹槽部位周围，与凹槽部位接触并且位于半导体衬底的主表面上；第一导电类型的低浓度源区，形成在凹槽部位的周围，从高浓度源区的底部延伸到多晶硅栅电极的上表面，其中，多晶硅栅电极的上表面应高于低浓度源区的底部深度0.1μm或以下；第二导电类型的体区，形成在围绕凹槽部位的低浓度源区之下，与凹槽部位接触，形成的深度与凹槽部位的底部相同，其中，体区的浓度均匀分布；和漏电极，与半导体衬底背面的第一导电类型的高浓度区连接。