| 发明名称 | 一种数据存储器件 | ||
| 摘要 | 对一个磁随机存取存储器(“MRAM”)器件(8)的一个存储器单元(12)执行读出操作时，一个相等电位可被施加到一根选定的位线和未选的各位线。在可供选择的比较方案中，一个相等电位可被施加到选定的位线和未选的各字线。 | ||
| 申请公布号 | CN1197081C | 申请公布日期 | 2005.04.13 |
| 申请号 | CN01117937.6 | 申请日期 | 2001.05.08 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | L·T·特兰;F·A·珀纳;J·A·布鲁格 |
| 分类号 | G11C7/00;G11C7/24 | 主分类号 | G11C7/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种数据存储器件(8)，包括：存储器单元(12)的一种电阻性交点阵列(10)；沿阵列(10)各行延伸的多个字线(14)；沿阵列(10)各列延伸的多个位线(16)；以及一种电路(20)，当对选定存储器单元(12)执行读出操作时，该电路(20)用于读出选定存储器单元(12)的电阻状态，该电路(20)施加第一电位到选定的位线，施加第二电位到选定的字线，施加第三电位到未选各字线和各位线的子集，第三电位等于第一电位。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||