静压—烧结制备硼靶的制备方法

摘要

本发明公开了一种静压－烧结制备硼靶的制备方法，包括如下步骤：1)将纯度为99～99.9999％的硼粉放入模具中用液压装置在800～1200kg/cm²的压力下静压1～100小时，使其成坚实的圆饼；2)将所获得的圆饼放入石英管中，再抽真空到10^－4～10^－5Pa后充入纯度为99.9～99.999％的惰性气体，最后将石英管烧封；3)将烧封的石英管放入加热炉中加热到1150～1250℃保持5～10小时，之后以5～10℃/分钟的速度将其降至室温。本发明制备的硼靶面积大，平整、致密，直径可达10～300mm，采用这样的硼靶进一步制备的MgB₂超导膜其超导转变温度达39K，临界电流密度达10～12MA/cm²。

主权项

1、一种静压—烧结制备硼靶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将纯度为99～99.9999％的硼粉放入模具中用液压装置在800～1200kg/cm2的压力下静压1～100小时，使其成坚实的园饼；2)将所获得的园饼放入石英管中，再抽真空到10-4～10-5Pa后充入纯度为99.9～99.999％的惰性气体，最后将石英管烧封；3)将烧封的石英管放入加热炉中加热到1150～1250℃保持5～10小时，之后以5～10℃/分钟的速度将其降至室温。