抑制电弧放电的对应等离子体射频顶电极调谐的等离子体反应器

摘要

一种用于处理半导体工件的等离子体反应器，包括：反应室，其所述反应室具有室壁和用于夹持半导体工件的工件支撑件；顶电极，其在所述工件支撑件上方，所述电极包括所述室壁的一部分；射频功率发生器，其用于在所述发生器的频率，供应功率至所述顶电极，并且能够将等离子体载所述室内，保持期望的等离子体离子密度水平。顶电极具有电容，以便所述顶电极，与在所述室内的以期望的等离子体离子密度形成的等离子体，在电极－等离子体共振频率，共振，所述发生器的所述频率至少在所述电极等离子体共振频率附近。所述反应器进一步包括：在所述顶电极上形成的绝缘层，所述顶电极面对所述工件支撑件；在所述射频功率发生器和所述顶电极之间的电容性绝缘层；以及覆盖所述顶电极表面并与其接触的金属泡沫层，所述顶电极面对并远离所述工件支撑件。

主权项

1.处理半导体工件的等离子体反应器，包括：反应室，其具有室壁并包括用于夹持所述半导体工件的工件支撑件；顶电极，其在所述工件支撑件的上方，所述电极包括所述室壁的一部分，所述电极中具有多个气体注入孔，所述气体注入孔一般面对所述工件支撑件；射频功率发生器，用于在所述发生器的频率下向所述顶电极提供功率并能在所述室中将等离子体维持在期望的等离子体离子密度水平；所述顶电极，具有同等离子体在电极—等离子体共振频率下形成共振的电抗，所述电极—等离子体共振频率是所述发生器的所述频率或接近所述发生器的所述频率；绝缘层，其在所述顶电极表面形成，所述顶电极面对所述工件支撑件。