使用转矩的非易失性磁存储单元和使用它的随机存取磁存储器

摘要

本发明的课题是提供一种在非易失性磁存储器中具有转矩磁化反转功能的超低耗电的高集成存储单元，以及使用这种存储单元的随机存取存储器，本发明的技术解决手段是，在C－MOSFET上具有转矩磁化反转层和隧道型磁阻效应膜。按照本发明可以实现耗电极小的非易失性磁存储器单元，通过装载该非易失性磁存储单元就能够实现耗电极小的随机存取磁存储器。

主权项

1.一种非易失性磁存储单元，其特征在于，在具备具有自由层、绝缘阻挡层和固定层的隧道型磁阻效应膜，和用于进行所述自由层的磁化信息的写入和读出的字线和位线的磁存储单元中，由转矩使所述自由层的磁化方向旋转的转矩磁化反转层邻接所述隧道型磁阻效应膜而形成，所述隧道型磁阻效应膜经所述转矩磁化反转层电连接到由漏极、源极、栅极、n型半导体和p型半导体构成的MOSFET的漏极。