METHOD USING SILICIDE CONTACTS FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING,申请号EP20030741873-传众专利搜索

发明名称	METHOD USING SILICIDE CONTACTS FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING
摘要
申请公布号	EP1522093(A1)	申请公布日期	2005.04.13
申请号	EP20030741873	申请日期	2003.06.04
申请人	ADVANCED MICRO DEVICES, INC.	发明人	BESSER, PAUL, R.;CHAN, SIMON, S.;BROWN, DAVID, E.;PATON, ERIC, N.
分类号	H01L21/285;(IPC1-7):H01L21/285	主分类号	H01L21/285
代理机构		代理人
主权项
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