发明名称 半导体结构及其制造方法
摘要 本发明涉及半导体结构及其制造方法。目的在于不使用特殊工艺而能够防止粘附(sticking)现象,并实现高成品率、低价格及高可靠性。其方法是在制作具有与基板(100)隔开并自由可动的检测构件(103)的半导体器件时,减少检测构件(103)的下表面与基板(100)的表面之间的接触面积,减少由液体表面张力(300)产生的从检测构件(103)下表面指向基板(100)表面方向的吸引力(F)。
申请公布号 CN1197170C 申请公布日期 2005.04.13
申请号 CN00130572.7 申请日期 2000.09.29
申请人 富士电机株式会社 发明人 上柳胜道;佐佐木光夫
分类号 H01L29/84 主分类号 H01L29/84
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 沈昭坤
主权项 1.一种半导体结构,在基板上部具有可变梁结构的可动部,其特征在于,所述可动部的下表面设置向所述基板的表面成凸状延伸、并且使与所述基板相对的前端部面积最小的凸部,使所述可动部的凸出前端部与所述基板表面之间相间隔以充分保证该可动部的可动范围。
地址 日本神奈川县