| 发明名称 | 铁电存储器单元自校准装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种铁电存储器单元自校准装置，所述存储器单元(FCS，T)可被先后读出，其中的位线(BL)以两个不同而且相反的电压(0V，VCC)进行预充电。所获得的电压值放在第一和第二电容(CK1，CK2)内进行中间存储，而后输入求值器(1)。 | ||
| 申请公布号 | CN1197085C | 申请公布日期 | 2005.04.13 |
| 申请号 | CN00134710.1 | 申请日期 | 2000.10.20 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | K·霍夫曼;O·科瓦里克 |
| 分类号 | G11C11/22;G11C7/00 | 主分类号 | G11C11/22 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
| 主权项 | 1.铁电存储器单元(FCS，T)自校准装置，所述存储器单元由一个具有单元片的铁电存储电容器(FCS)和一个转移晶体管(T)构成，并且位于一个由字线(WL)和位线(BL)控制的存储器单元阵列内，其中所述铁电存储电容器(FCS)位于单元片线路(CP)和转移晶体管(T)之间，并且为实现自校准，通过一个求值器(1)在一个读出过程之后，为获得参考电压而重新读出所述存储器单元，其特征在于，对所述存储器单元(FCS，T)可顺序读出，而对位线(BL)以具有第一和第二电压值的两个不同而且相反的电压(VCC，0V)进行预充电，并且两个所获得的电压值在输入所述求值器(1)之前，分别在第一和第二电容(CK1，CK2；CBSA，CPSA；CBS1，CBS2)内进行中间存储，以在该处进行相互比较。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||