| 发明名称 | 半导体存储器及其驱动方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是提供栅结构简单，并且在一个存储单元中存储4位的信息的非易失性半导体存储器。在半导体衬底表面规定有源区101和与其正交的有源区102，以夹住交叉区103的方式在有源区101和有源区102内形成扩散区。而且，将栅结构G<SUB>N</SUB>形成为线状，使其通过交叉区103。进而在扩散区设置端子D<SUB>M</SUB>、D<SUB>I</SUB>，使其能与金属布线M<SUB>1</SUB>、M<SUB>2</SUB>连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1606166A | 申请公布日期 | 2005.04.13 |
| 申请号 | CN200410083562.3 | 申请日期 | 2004.10.08 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 德光成太 |
| 分类号 | H01L27/115;H01L27/105;H01L29/792;H01L21/8247;G11C16/04 | 主分类号 | H01L27/115 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器，其特征在于：具备：在衬底表面规定成线状的第1有源区；在上述衬底表面以具有与上述第1有源区的交叉区的方式规定成线状的第2有源区；在上述第1有源区以夹住上述交叉区的方式形成的第1扩散区和第2扩散区；在上述第2有源区以夹住上述交叉区的方式形成的第3扩散区和第4扩散区；在上述衬底上通过上述交叉区形成为线状的栅结构；以及分别与上述第1至第4扩散区连接的第1至第4端子。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||