| 发明名称 | 用标准集成电路工艺设计低寄生电容差分驱动对称电感的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种用标准集成电路工艺片优化设计片上差分对称电感的方法。具体是采用多金属互连线将大电压差的相邻线圈分开，使得相邻线圈的电压差降低，使电感相邻线圈之间的随着电压差的降低而减小；采用外圈大电压差线圈之间大间距，内圈相对小间距的相邻线圈不等间距方法，降低寄生电容。这样，通过降低寄生电容，进而提高电容意味着高的电感品质因数和自激振荡频率，改进电感电路性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1606127A | 申请公布日期 | 2005.04.13 |
| 申请号 | CN200410067598.2 | 申请日期 | 2004.10.28 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 菅洪彦;王俊宇;唐长文;何捷;闵昊 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/82;H01F41/00 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 1、一种用标准集成电路工艺设计低寄生电容差分驱动对称电感的方法，其特征在于采用标准集成电路工艺，通过降低电感相邻线圈之间的寄生电容，进而提高电感的品质因素和自激振荡频率。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||