| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，具有可装配在布线衬底上的结构，所述半导体器件形成在薄膜厚度衬底、膜状衬底，或者片状衬底上。此外，本发明提供一种制造半导体器件的方法，能够提高装配在布线衬底上的可靠性。本发明的一个特征是把形成在绝缘衬底上的半导体元件接合到通过具有各向异性导电性的介质形成的导电膜的部件上。 | ||
| 申请公布号 | CN1606169A | 申请公布日期 | 2005.04.13 |
| 申请号 | CN200410087478.9 | 申请日期 | 2004.10.08 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 西和夫;安达广树;楠本直人;菅原裕辅;高桥秀和;山田大干;樋浦吉和 |
| 分类号 | H01L29/00;H01L29/786;H01L29/861;H01L31/04;H01L27/12;H01L27/14;H01L21/84;H04M1/00;H04Q7/32 | 主分类号 | H01L29/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括；第一衬底；第二衬底；形成在第一衬底之上的半导体元件；和形成在第二衬底边缘部分的导电膜，其中第一衬底的一个面和第二衬底的一个面通过粘合连接部件相互固定。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||