| 发明名称 | 磁随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 偏置电压发生电路(21)具有由磁阻元件(Rref)和MOS晶体管(QN3)构成的串联电路。将串联电路内的磁阻元件(Rref)的MR比设定为存储单元内的磁阻元件的MR比的一半。调整电阻(r)具有位线的布线电阻的一半的电阻值。偏置电压发生电路(21)对读出电流源供给偏置电压(Vbias)。如果在偏置电压发生电路(21)中流过恒定电流，则读出电流源对位线供给与该恒定电流相等的读出电流。 | ||
| 申请公布号 | CN1197084C | 申请公布日期 | 2005.04.13 |
| 申请号 | CN01143918.1 | 申请日期 | 2001.12.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 伊藤洋 |
| 分类号 | G11C11/15;G11C7/06;H01L29/78 | 主分类号 | G11C11/15 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种磁随机存取存储器，其特征在于：包括：存储单元，包含具有2个电阻值的磁阻元件；位线，与上述存储单元连接，用做第1电流通路；读出电流源，与上述位线连接；读出放大器，与上述位线连接；以及偏置电压发生电路，具有用做第2电流通路的参照单元，其中上述第1和第2电流通路通过电流镜电路彼此连接，且上述参照单元具有上述磁阻元件2个电阻值的中间的电阻值。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||