发明名称 | 同步型半导体存储器 | ||
摘要 | 本发明涉及一种同步型半导体存储器,与时钟信号同步地取入多个外部控制信号,响应于该取入的多个外部控制信号,在多个工作状态间进行转换,其特征在于:包括:存储单元阵列;读出写入电路,从所述存储单元阵列中读出数据,并且对所述存储单元阵列写入数据;和控制信号发生器,产生控制所述读出写入电路的内部控制信号,供给所述读出写入电路;所述控制信号发生器包括:同步电路,与所述时钟信号同步地工作,根据所述多个外部控制信号的逻辑电平的组合,产生分别表示所述多个工作状态的多个状态转换信号,和时序调整电路,与所述时钟信号非同步地将所述多个状态转换信号的时序调整,产生所述内部控制信号。 | ||
申请公布号 | CN1197087C | 申请公布日期 | 2005.04.13 |
申请号 | CN00122505.7 | 申请日期 | 2000.06.22 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 山内忠昭 |
分类号 | G11C11/407;G11C11/417 | 主分类号 | G11C11/407 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
主权项 | 1.一种同步型半导体存储器,与时钟信号同步地取入多个外部控制信号,响应于该取入的多个外部控制信号,在多个工作状态间进行转换,其特征在于:包括:存储单元阵列;读出写入电路,从所述存储单元阵列中读出数据,并且对所述存储单元阵列写入数据;和控制信号发生器,产生控制所述读出写入电路的内部控制信号,供给所述读出写入电路;所述控制信号发生器包括:同步电路,与所述时钟信号同步地工作,根据所述多个外部控制信号的逻辑电平的组合,产生分别表示所述多个工作状态的多个状态转换信号,和时序调整电路,与所述时钟信号非同步地将所述多个状态转换信号的时序调整,产生所述内部控制信号。 | ||
地址 | 日本东京都 |