发明名称 光电装置及该制造方法、元件驱动装置及该制造方法、元件基板以及电子机器
摘要 一种光电装置及该制造方法,元件驱动装置及该制造方法,元件基板以及电子机器于驱动光电元件等的被驱动元件之电路,为抑制能动元件的特性的不均,光电装置D系具有元件层1和配线形成层2和电子零件层3。元件层1系具有位于各平面内的不同位置之复数有机EL元件10。电子零件层3系具有画素驱动用IC晶片37。此画素驱动用IC晶片37系包含为驱动各不同的有机EL元件10之复数画素电路377。配线形成层系位于元件层1和电子零件层3间。此配线形成层2系将包含画素驱动用IC晶片37之各画素电路377,对应当该画素电路377,具有连接有机EL元件10之配线。
申请公布号 TWI230918 申请公布日期 2005.04.11
申请号 TW092114424 申请日期 2003.05.28
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 今村阳一
分类号 G09G3/36 主分类号 G09G3/36
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种光电装置,其特征系具备包含复数之光电元件的元件层,和包含具有驱动光电元件之复数之单位电路的元件驱动用IC晶片的电子零件层,和位于前述元件层及前述电子零件层间之层中,包含连接含于前述元件驱动用IC晶片之各单位电路和对应该单位电路之光电元件之配线的配线形成层。2.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述电子零件层系具有各具备复数之单位电路之复数之元件驱动用IC晶片;前述配线形成层乃具有连接含于前述各元件驱动用IC晶片之各单位电路,和对应该单位电路之光电元件的配线。3.如申请专利范围第2项之光电装置,其中,前述电子零件层系包含前述复数之元件驱动用IC晶片中,选择欲执行前述光电元件之驱动的IC晶片的选择用IC晶片;前述选择用IC晶片系藉由含于前述配线形成层之配线,连接于前述各元件驱动用IC晶片。4.如申请专利范围第2项或第3项之光电装置,其中,前述电子零件层系包含将指示欲供予前述光电元件之电流或欲施加电压的资料信号,输出至前述各元件驱动用IC晶片之单位电路的资料供给用IC晶片;前述资料供给用IC晶片系藉由含于前述配线形成层之配线,连接于前述各元件驱动用IC晶片。5.如申请专利范围第2项之光电装置,其中,前述电子零件层系包含前述复数之元件驱动用IC晶片中,选择欲执行前述光电元件之驱动的IC晶片的选择用IC晶片,和将指示欲供予前述各光电元件之电流或欲施加电压的资料信号,输出至前述各元件驱动用IC晶片之单位电路的资料供给用IC晶片,和控制前述选择用IC晶片及前述资料供给用IC晶片之动作的控制用IC晶片;前述选择用IC晶片及前述资料供给用IC晶片系藉由含于前述配线形成层之配线,连接于前述各元件驱动用IC晶片,前述控制用IC晶片系藉由含于前述配线形成层之配线,连接于前述选择用IC晶片及前述资料供给用IC晶片。6.如申请专利范围第2项之光电装置,其中,前述各复数之元件驱动用IC晶片系配置于与对应于含于该元件驱动用IC晶片之复数之单位电路的复数之光电元件对向之配置。7.如申请专利范围第2项之光电装置,其中,具备由前述复数之元件驱动用IC晶片视之,设于与前述配线形成层相反侧,遮掩光线之遮光层。8.如申请专利范围第2项之光电装置,其中,具备填充于前述各元件驱动用IC晶片间的填充层。9.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述光电元件系对应于由前述单元电路供给之电流而发光之电激发光元件。10.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述元件驱动用IC晶片系具有该元件驱动用IC晶片中设于与配线形成层对向之端子形成面,连接于前述光电元件之第1之连接端子,和设于前述端子形成面,连接于电源线之第2之连接端子;前述第1之连接端子中与前述端子形成面平行面之面积,为前述第2之连接端子中与前述端子形成面平行面之面积之1/6以下。11.一种电子机器,其特征系具备如申请专利范围第1项至第10项任一项所记载之光电装置。12.一种电子机器,具备拥有发光型之光电装置的第1之显示部,和拥有非发光型之光电装置的第2之显示部;前述第1之显示部和前述第2之显示部系各光电装置之显示面成为特定角度之形态地,相互可移动地地加以连接。13.一种元件驱动装置,其特征系具备包含复数之被动元件的元件层,和包含具有驱动被动元件之复数之单位电路的元件驱动用IC晶片的电子零件层,和位于前述元件层及前述电子零件层间之层中,包含连接含于前述元件驱动用IC晶片之各单位电路和对应该单位电路之被动元件之配线的配线形成层。14.一种元件基板,其特征系具备包含拥有形成连接端子之端子形成面的复数之电子零件的电子零件层,和前述电子零件层中,具有与前述端子形成面对向地加以堆积,连接于前述各电子零件之连接端子的复数配线的配线形成层;前述复数之电子零件系各端子形成面位于略同一面内地加以配置。15.一种光电装置之制造方法,属于制造具有复数之光电元件的光电装置的方法,其特征系具有将拥有驱动光电元件之复数之单位电路的元件驱动用IC晶片,使具有连接端子之端子形成面朝向一方侧地加以配置,形成包含该元件驱动用IC晶片的电子零件层的工程,和前述电子零件层中,于前述元件驱动用IC晶片之连接端子所朝向之面上,形成包含连接含于前述元件驱动用IC晶片之各单位电路和对应该单位电路之光电元件的配线的配线形成层的工程,和由前述配线形成层视之,于前述电子零件层之相反侧,形成包含前述复数之光电元件的元件层之工程。16.一种光电装置之制造方法,属于制造具有复数之光电元件的光电装置的方法,其特征系具有于基板之一方面上,将具有驱动光电元件之复数之单位电路的元件驱动用IC晶片,于将具有连接端子之端子形成面对向于基板之状态下加以配置,形成包含该元件驱动用IC晶片之电子零件层的工桯,和将前述基板出电子零件层剥离之工程,和前述电子零件层中,于前述基板被剥离之面上,形成包含为连接含于前述元件驱动用IC晶片之各单位电路和对应于该单位电路之光电元件的配线之配线形成层的工程,和由前述配线形成层视之,于前述电子零件层之相反侧,形成包含前述复数之光电元件的元件层之工程。17.如申请专利范围第16项之光电装置之制造方法,其中,具有在形成前述电子零件层之工程前,于前述基板之一方面上,形成剥离层之工程;于形成前述电子零件层之工程中,由前述剥离层视之,于前述基板之相反侧,形成前述电子零件层,另一方面,于剥离前述基板之工程中,将前述剥离层为临界,使前述基板由前述电子零件层剥离。18.如申请专利范围第16项之光电装置之制造方法,其中,具有在形成前述电子零件层之工程前,于前述基板之一方面上,形成黏着层之工程;于形成前述电子零件层之工程中,将前述元件驱动用IC晶片之前述端子形成面黏着于前述黏着层。19.如申请专利范围第18项之光电装置之制造方法,其中,前述黏着层系由绝缘材料所成,于形成前述配线形成层之工程中,于被覆前述电子零件层之前述黏着层面上,形成前述配线形成层。20.一种光电装置之制造方法,属于制造具有复数之光电元件的光电装置的方法,其特征系具有将为了对于前述光电元件供给电流或施加电压之电极,形成于基板之一方面上,另一方面,形成包含连接此电极、和各复数之前述单位电路的配线之配线形成层的工程,和将包含具有驱动光电元件之复数之单位电路的元件驱动用IC晶片的电子零件层,由前述配线层视之,形成于前述基板之相反侧的工程,和将前述基板由配线形成层剥离之工程,和由前述配线形成层视之,于前述电子零件层之相反侧,形成与前述电极接触之光电元件,形成前述复数之光电元件的元件层之工程。21.如申请专利范围第20项之光电装置之制造方法,其中,具有在形成前述电子零件层之工程前,于前述基板之一方面上,形成剥离层之工程;于形成前述配线形成层之工程中,由前述剥离层视之,于前述基板之相反侧,形成前述配线形成层,另一方面,于剥离前述基板之工程中,将前述剥离层为临界,便前述基板由前述配线形成层剥离。22.如申请专利范围第16项或第20项之光电装置之制造方法,其中,具有在形成前述电子零件层之工程前,具有由前述电子零件层视之,于与前述基板相反侧,固定支持基板的工程。23.如申请专利范围第16项或第20项之光电装置之制造方法,其中,于形成前述配线形成层的工程中,形成为连接前述单位电路和前述光电元件之配线,被覆此配线的同时,对应于该配线之一部分。形成开口之绝缘层,于此绝缘层之开口,形成电极部,另一方面,于形成前述电子零件层之工程中,将设于前述元件驱动用IC晶片之连接端子之突起电极,接合于前述电极部。24.如申请专利范围第15项、第16项及第20项之任一项之光电装置之制造方法,其中,形成前述电子零件层之工程,系包含配置各具备复数之单位电路之复数之元件驱动用IC晶片之工程,和于各元件驱动用IC晶片之间,形成填充层之工程。25.如申请专利范围第24项之光电装置之制造方法,其中,形成前述电子零件层之工程系包含于前述复数之元件驱动用IC晶片和前述填充层间,形成基材层的工程。26.如申请专利范围第15项、第16项及第20项之任一项之光电装置之制造方法,其中,形成前述电子零件层之工程,系包含由前述电子零件层视之,于与前述配线形成层相反侧,形成遮掩光线之遮光层的工程。27.如申请专利范围第26项之光电装置之制造方法,其中,前述遮光层系具有导电性材料所成。28.如申请专利范围第15项、第16项及第20项之任一项之光电装置之制造方法,其中,于形成前述电子零件层之工程中,将各具备复数之端子电路的复数元件驱动用IC晶片,配置于与对应于含于各元件驱动用IC晶片之复数之单位电路之复数光电元件对向的位置。29.一种元件驱动装置之制造方法,属于制造具有复数之被动元件的元件驱动装置的方法,其特征系具有将拥有驱动被动元件之复数之单位电路的元件驱动用IC晶片,使具有连接端子之端子形成面朝向一方侧地加以配置,形成包含该元件驱动用IC晶片的电子零件层的工程,和前述电子零件层中,于前述元件驱动用IC晶片之连接端子所朝向之面上,形成包含连接含于前述元件驱动用IC晶片之各单位电路和对应该单位电路之被动元件的配线的配线形成层的工程,和由前述配线形成层视之,于前述电子零件层之相反侧,形成包含前述复数之被动元件的元件层之工程。30.一种元件驱动装置之制造方法,属于制造具有复数之被动元件的元件驱动装置的方法,其特征系具有于基板之一方面上,将具有驱动被动元件之复数之单位电路的元件驱动用IC晶片,于将具有连接端子之端子形成面对向于基板之状态下加以配置,形成包含该元件驱动用IC晶片之电子零件层的工程,和将前述基板由电子零件层剥离之工程,和前述电子零件层中,于前述基板被剥离之面上,形成包含为连接含于前述元件驱动用IC晶片之各单位电路和对应于该单位电路之被动元件的配线之配线形成层的工程,和由前述配线形成层视之,于前述电子零件层之相反侧,形成包含前述复数之被动元件的元件层之工程。31.一种元件驱动装置之制造方法,属于制造具有复数之被动元件的元件驱动装置的方法,其特征系具有将为了对于前述被动元件供给电流或施加电压之电极,形成于基板之一方面上,另一方面,形成包含连接此电极、和各复数之前述单位电路的配线之配线形成层的工程,和将包含具有驱动被动元件之复数之单位电路的元件驱动用IC晶片的电子零件层,由前述配线层视之,形成于前述基板之相反侧的工程,和将前述基板由配线形成层剥离之工程,和由前述配线形成层视之,于前述电子零件层之相反侧,形成与前述电极接触之被动元件,形成前述复数之被动元件的元件层之工程。32.一种光电装置,其特征系具备复数之光电元件,和各具有驱动光电元件之复数之单位电路,及顺序选择该复数之单位电路中之1个以上之单位电路的同时,于该选择之1个以上之单位电路,使进行为驱动光电元件之动作的选择控制的控制电路的复数之元件驱动用IC晶片,和前述复数之元件驱动用IC晶片中,顺序选择1个以上之IC晶片的同时,于该选择之IC晶片之控制电路,进行前述选择控制的选择电路。33.如申请专利范围第32项之光电装置,其中,前述各元件驱动用IC晶片,系具有顺序特定含于该元件驱动用IC晶片之1个以上之单位电路的特定电路;前述控制电路系令经由前述特定电路所特定之1个以上之单位电路为对象,进行前述选择控制。34.如申请专利范围第33项之光电装置,其中,前述选择电路系于选择之元件驱动用IC晶片,输出时脉信号;前述各元件驱动用IC晶片之前述特定电路系将含于该元件驱动用IC晶片之1个以上之单位电路,同步于自前述选择电路所供给之时脉信号,顺序加以特定。35.如申请专利范围第32项之光电装置,其中,前述各单位电路系具有保持对应于为驱动光电元件之驱动电流或驱动电压的电荷之保持电路,和维持经由前述保持电路所保持之电荷的维持电路。36.如申请专利范围第32项之光电装置,其中,前述控制电路系将为检查前述各单位电路之动作的测试信号,输出至该各单位电路。37.一种光电装置之驱动电路,属于驱动具备复数之光电元件之光电装置的电路中,其特征系具备驱动光电元件之复数之单位电路,及顺序选择该复数之单位电路中之1个以上之单位电路的同时,于该选择之1个以上之单位电路,使进行为驱动光电元件之动作的选择控制的控制电路的复数之元件驱动用IC晶片中,顺序选择1个以上之IC晶片的同时,于该选择之IC晶片之控制电路,进行前述选择控制的选择电路。38.一种元件驱动装置,其特征系具备复数之被动元件,和各具有驱动被动元件之复数之单位电路,及顺序选择该复数之单位电路中之1个以上之单位电路的同时,于该选择之1个以上之单位电路,使进行为驱动被动元件之动作的选择控制的控制电路的复数之元件驱动用IC晶片,和前述复数之元件驱动用IC晶片中,顺序选择1个以上之IC晶片的同时,于该选择之IC晶片之控制电路,进行前述选择控制的选择电路。39.一种光电装置,其特征系具备藉由各经由资料信号所指定之驱动电流所驱动之复数之光电元件,和各备有设于每一或复数之光电元件,包含第1资料供给电路和第2资料供给电路之复数之资料供给电路中,根据参照电流生成基准电流之基准电流供给电路,和根据经由前述基准电流供给电路生成之基准电流,将输出对应于前述资料信号之电流値的资料信号输出电路的复数之资料供给电路;前述第1资料供给电路系将该第1资料供给电路之基准电流供给电路,为生成基准电流所使用之前述参照电流,输出至前述第2资料供给电路,另一方面,前述第2资料供给电路之基准电流供给电路系根据自该第1资料供给电路所供给之前述参照电流,生成前述基准电流。40.如申请专利范围第39项之光电装置,其中,自前述第1资料供给电路输出之前述参照电流系对于各复数之前述第2资料供给电路,分时性地加以供给。41.如申请专利范围第40项之光电装置,其中,自前述第1资料供给电路输出之前述参照电流系对于前述复数之第2资料供给电路,藉由具有共通部分之电流供给线,供予各第2资料供给线。42.如申请专利范围第40项之光电装置,其中,前述各复数之资料供给电路,系具有切换是否将前述参照电流供给该资料供给电路之基准电流供给电路的控制电路。43.如申请专利范围第42项之光电装置,其中,前述各第2资料供给电路之控制电路系根据由前段之资料供给电路之控制电路所供给之许可信号,切换对于前述基准电流供给电路之前述参照电流之供给与否的同时,于下一段之资料供给电路之控制电路,输出许可信号。44.如申请专利范围第39项之光电装置,其中,前述各资料供给电路系具备保持前述参照电流之保持电路;前述各资料供给电路之基准电流供给电路系根据保持于前述保持电路之参照电流,生成基准电流。45.如申请专利范围第44项之光电装置,其中,对于前述各资料供给电路之基准电流供给电路的参照电流之供给,系该资料供给电路之资料信号输出电路于输出之资料信号之期间以外的期间进行者。46.如申请专利范围第39项之光电装置,其中,前述第1资料供给电路之构成和前述第2资料供给电路之构成为相同的。47.如申请专利范围第39项之光电装置,其中,具备拥有将对应于前述资料信号之驱动电流,供予前述光电元件之复数之单位电路的元件驱动用IC晶片;前述各资料供给电路之资料信号输出电路系将生成之资料信号输出至前述元件驱动用IC晶片之单位电路。48.一种元件驱动装置,其特征系具备藉由各经由资料信号所指定之驱动电流所驱动之复数之被动元件,和各备有设于每一或复数之被动元件,包含第1资料供给电路和第2资料供给电路之复数之资料供给电路中,根据参照电流生成基准电流之基准电流供给电路,和根据经由前述基准电流供给电路生成之基准电流,将输出对应于前述资料信号之电流値的资料信号输出电路的复数之资料供给电路;前述第1资料供给电路系将该第1资料供给电路之基准电流供给电路,为生成基准电流所使用之前述参照电流,输出至前述第1资料供给电路以外之前述第2资料供给电路,另一方面,前述第2资料供给电路之基准电流供给电路系根据自该第1资料供给电路所供给之前述参照电流,生成前述基准电流。49.一种电子机器,其特征系具备如申请专利范围第32至36及39至47项之任一项之光电装置者。图式简单说明:图1乃显示有关本发明之实施形态的光电装置之构成的斜视图。图2乃显示电子零件层之构成的平面图。图3乃显示画素驱动用IC晶片和有机EL元件之对应关系图。图4乃显示画素驱动用IC晶片之构成的方块图。图5乃显示扫瞄用IC晶片和画素驱动用IC晶片之关系方块图。图6乃为说明扫瞄用IC晶片之动作的时间图。图7乃显示画素电路之构成之电路图。图8乃为说明画素电路之扫瞄之时间图。图9乃显示列资料变换用IC晶片之构成的方块图。图10乃显示基准电流供给电路之构成的电路图。图11乃显示设定期间之动作的时间图。图12乃显示D/A变换电路之构成的方块图。图13乃显示D/A变换部之构成的电路图。图14乃显示经由第1之制造方法所得之光电装置之构成的剖面图。图15乃显示画素驱动用IC晶片之垫片形成面之构成图。图16乃显示光电装置之构成之平面图。图17乃显示形成第1之制造方法中之基材层及金属层的工程图。图18乃显示配置同方法中之IC晶片之工程图。图19乃显示形成同方法中之填充层的工程图。图20乃显示形成同方法中之第1绝缘层的工程图。图21乃显示形成同方法中之第1配线层的工程图。图22乃显示形成同方法中之第2绝缘层的工程图。图23乃显示形成同方法中之金属膜及阳极材料膜的工程图。图24乃显示形成同方法中之第2配线层及阳极层的工程图。图25乃显示形成同方法中之第3绝缘层的工程图。图26乃显示形成同方法中之树脂层的工程图。图27乃显示除去同方法中之阳极层之一部的工程图。图28乃显示形成同方法中之导电层及阻隔层的工程图。图29乃显示形成同方法中之导电层及阻隔层的工程图。图30乃显示形成同方法中之间隔壁层的工程图。图31乃显示形成同方法中之EL层的工程图。图32乃显示形成同方法中之阴极层的工程图。图33乃显示经由第2之制造方法所得之光电装置之构成的剖面图。图34乃显示于同方法中之基板上,形成光剥离层之工程图。图35乃显示形成同方法中之金属层及黏着层的工桯图。图36乃显示配置同方法中之IC晶片的工程图。图37乃显示形成同方法中之基材层及遮光层的工程图。图38乃显示同方法中之支持基板被贴附之工程。图39乃显示同方法中,基板被剥离之状态图。图40乃显示形成同方法之其他例中之电源线的工程图。图41乃显示经由同方法之其他例所得之光电装置之构成的剖面图。图42乃显示经由第3之制造方法所得之光电装置之构成的剖面图。图43乃显示于同方法中之基板上,形成光剥离层之工程。图44乃显示形成同方法中之绝缘层及导电层的工程图。图45乃显示形成同方法中之第2配线层及阳极层的工程图。图46乃显示形成同方法中之第2绝缘层的工程图。图47乃显示形成同方法中之第1配线层的工程图。图48乃显示形成同方法中之第1绝缘层的工程图。图49乃显示形成同方法中之垫片的工程图。图50乃显示配置同方法中之IC晶片的工程图。图51乃贴附同方法中之支持基板的工程图。图52乃显示于同方法基板剥离之状态图。图53乃显示电子机器之一例的个人电脑之构成斜视图。图54乃显示电子机器之一例的电子书籍之构成斜视图。
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