| 主权项 |
1.一种可擦拭相变型光学记录媒体,其结构包括:一基板;一第一介电层,形成于该基板表面;一记录层,形成于该第一介电层表面,其中该记录层系为一种含有下列一般式(1)所示之四元合金:TeaGebSbcBd (1)其中a为45~57原子百分比,b为35~45原子百分比,c为5~15原子百分比,d为0.1~2原子百分比,其中该记录层之结晶态与非结晶态组织在350nm到800nm波长范围内其光学对比大于35%;一第二介电层,形成于该记录层表面;一反射层,形成于该第二介电层表面;以及一保护层,形成于该反射层表面。2.如申请专利范围第1项所述之可擦拭相变型光学记录媒体,其中该基板可为聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸脂或玻璃等材质之一制成。3.如申请专利范围第1项所述之可擦拭相变型光学记录媒体,其中该第一介电层与第二介电层可为SiO2、ZnS、TaO2、GeO、AlN、Si3N4等其中之一或上述物质之混合物制成。4.如申请专利范围第1项所述之可擦拭相变型光学记录媒体,其中该反射层可为Al、Ag、Au、Ni、Cr、Pt、Pd等金属之一或是上述金属合金制成。5.如申请专利范围第1项所述之可擦拭相变型光学记录媒体,其中该保护层可为树脂或黏合物质之一制成。6.如申请专利范围第1项所述之可擦拭相变型光学记录媒体,其中该记录层的结晶态系为单相面心立方组织。7.如申请专利范围第1项所述之可擦拭相变型光学记录媒体,其中该记录层的厚度为15nm~60nm。8.如申请专利范围第1项所述之可擦拭相变型光学记录媒体,其中该记录层的晶格常数为0.59~0.61nm。9.如申请专利范围第1项所述之可擦拭相变型光学记录媒体,其中该记录层的制作方法可藉由真空蒸镀(热蒸镀、电子束蒸镀)、真空溅镀(直流、交流、磁控、对称、非对称)、真空离子镀等方法之一制备。10.一种高光学对比之可擦拭光学记录材料,用于形成相变型光学记录媒体之记录层,该记录材料为含下列一般式(1)所示之四元合金:TeaGebSbcBd (1)其中a为45~57原子百分比,b为35~45原子百分比,c为5~15原子百分比,d为0.1~2原子百分比。11.如申请专利范围第10项所述之高光学对比之可擦拭光学记录材料,其中该记录材料的结晶态系为单相面心立方组织。12.如申请专利范围第10项所述之高光学对比之可擦拭光学记录材料,其中该记录材料的厚度为15nm~60 nm。13.如申请专利范围第10项所述之高光学对比之可擦拭光学记录材料,其中该记录材料的晶格常数为0.59~ 0.61 nm。14.如申请专利范围第10项所述之高光学对比之可擦拭光学记录材料,其中该记录材料的制作方法可藉由真空蒸镀(热蒸镀、电子束蒸镀)、真空溅镀(直流、交流、磁控、对称、非对称)、真空离子镀等方法之一制备。图式简单说明:第1图,系为可擦拭相变型光碟的碟片结构示意图;第2图,系为本发明之实验组I的X光绕射图形;第3图,系为本发明之对照组之光反射率及光学对比对波长作图的图形;以及第4图,系为本发明之三个实施例之光反射率及光学对比对波长作图的图形。 |
