| 主权项 |
1.一种积体电路中测量电容量的测试图案,该测试图案包含:复数组传导带图案,其中该等传导带图案彼此平行;复数组电容器图案,其中该等电容器图案位于该等传导带图案上;以及复数组接触窗图案,该等接触窗图案位于该等传导带图案上,其中该等接触窗图案与该等电容器图案之间系彼此分离。2.如申请专利范围第1项之测试图案,其中上述的积体电路系一动态随机存取记忆体。3.如申请专利范围第1项之测试图案,其中该等传导带图案系用来定义出位元线。4.如申请专利范围第1项之测试图案,其中该等电容器图案系用来定义出沟渠电容器。5.如申请专利范围第1项之测试图案,其中该等电容器图案包含一第一电容器图案,一第二电容器图案,一第三电容器图案,一第四电容器图案,一第五电容器图案,与一第六电容器图案,其中该第一电容器图案与该第二电容器图案位于该等传导带图案之一传导带图案上,该第三电容器图案与该第四电容器图案位于该等传导带图案之另一传导带图案上,且该第五电容器图案与该第六电容器图案位于该等传导带图案之再另一传导带图案上。6.如申请专利范围第1项之测试图案,其中该等接触窗图案系用来定义出位元线接触窗。7.如申请专利范围第5项之测试图案,其中该等接触窗图案包含一第一接触窗图案,一第二接触窗图案,一第三接触窗图案,与一第四接触窗图案,其中该第一接触窗图案与该第一电容器图案位于同一传导带图案上,且位于该第一电容器图案与该第二电容器图案之间,该第二接触窗图案与该第三接触窗图案与该第三电容器图案位于同一传导带图案上,且位于该第三电容器图案与该第四电容器图案之相对外侧上,且该第四接触窗图案与该第五电容器图案位于同一传导带图案上,且位于该第五电容器图案与第六电容器图案之间。8.一种积体电路中测量电容量的测试方法,该方法至少包含:提供一测试图案,该测试图案包含复数组互相平行的传导带图案,复数组电容器图案位于该等传导带图案上,与复数组接触窗图案于该等传导带图案上,其中该等传导带图案与该等接触窗图案系彼此分离;转移该测试图案至一半导体底材上,使得该半导体底材具有与该测试图案相对应的复数组传导带,复数组电容器,与复数组接触窗;并联复数组该电容器以形成一电容器组;测量该电容器组的总电容量;以及将该电容器组的总电容量除以该电容器组内的电容器数量,以得到每一电容器的电容量。9.如申请专利范围第8项之测试方法,其中上述的积体电路系一动态随机存取记忆体。10.如申请专利范围第8项之测试方法,其中该等电容器图案系用来定义出沟渠电容器。11.如申请专利范围第8项之测试方法,其中该等传导带图案系用来定义出位元线。12.如申请专利范围第8项之测试方法,在上述转移该测试图案至该半导体底材上的步骤中,包含在该半导体底材上形成一第一传导带,一第二传导带,一第三传导带,一第一电容器,一第二电容器,一第三电容器,一第四电容器,一第五电容器,一第六电容器,一第一接触窗,一第二接触窗,一第三接触窗,与一第四接触窗,其中该等电容器与该等接触窗系形成于该等传导带上。13.如申请专利范围第12项之测试方法,在上述转移该测试图案至该半导体底材上的步骤中,更包含形成该第一电容器图案与该第二电容器图案于该第一传导带图案上,形成该第三电容器图案与该第四电容器图案于该第二传导带上,以及形成该第五电容器图案与该第六电容器图案于该第三传导带上。14.如申请专利范围第12项之测试方法,在上述转移该测试图案至该半导体底材上的步骤中,更包含形成该第一接触窗于该第一电容器图案与该第二电容器图案之间,形成该第二接触窗与该第三接触窗于该第三电容器图案与该第四电容器图案之相对外侧,以及形成该第四接触窗于该第五电容器图案与该第六电容器图案之间。15.如申请专利范围第8项之测试方法,其中该等接触窗图案系用来定义位元线接触窗。16.一种动态随机存取记忆体中测量电容量的测试图案,该测试图案包含:一传导带图案,包含一第一传导带图案,一第二传导带图案,与一第三传导带图案,其中该等传导带图案彼此平行;一第一电容器图案,该第一电容器图案位于该第一传导带图案上;一第二电容器图案,该第二电容器图案位于该第一传导带图案上,且与该第一电容器图案彼此分离;一第三电容器图案,该第三电容器图案位于该第二传导带图案上;一第四电容器图案,该第四电容器图案位于该第二传导带图案,且与该第一电容器图案彼此分离;一第五电容器图案,该第五电容器图案位于该第三传导带图案上;一第六电容器图案,该第六电容器图案位于该第三传导带图案,且与该第一电容器图案彼此分离;一第一接触窗图案,该第一接触窗图案位于该第一传导带图案上,且位于该第一电容器图案与该第二电容器图案之间;一第二接触窗图案与一第三接触窗图案,其中该等接触窗图案位于该第二传导带图案上,且位于该第三电容器图案与该第四电容器图案之相对外侧;以及一第四接触窗图案,该第四接触窗图案位于该第三传导带图案上,且位于该第五电容器图案与该第六电容器图案之间,其中该等传导带图案与该等接触窗图案系彼此分离。17.如申请专利范围第16项之测试图案,其中上述的电容器图案系用来定义出深沟渠电容器。18.如申请专利范围第16项之测试图案,其中该等传导带图案系用来定义出位元线。19.如申请专利范围第16项之测试图案,其中该等接触窗图案系用来定义出位元线接触窗。图式简单说明:第一图系习知技艺中用来测量积体电路的深沟渠电容器之测试图案的上视图;以及第二图系一根据本发明所揭露技术的测试图案之上视图。 |
