发明名称 溅镀用钛靶
摘要 【课题】 提供一种不会产生粒子或异常放电现象、污染物质变少、同时属软质之溅镀用钛靶。【解决手段】 一种溅镀用钛靶,其中,在溅镀用钛靶中所含之氧不纯物浓度为20ppm以下,且该靶之最大结晶粒径为20μm以下。
申请公布号 TWI230741 申请公布日期 2005.04.11
申请号 TW089122291 申请日期 2000.10.24
申请人 日材料股份有限公司 发明人 福世 秀秋;新藤 裕一朗;高桥秀行
分类号 C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种溅镀用钛靶,其特征为,于溅镀用钛靶中所含之氧、氮、氢等之气体成分的不纯物浓度为未满20ppm,该靶之平均结晶粒径为未满20m,且维克硬度(Vs)为120以下。2.如申请专利范围第1项之溅镀用钛靶,其中,Na、K等之硷金属、硷土金属之总含有量为5ppm以下,重金属及轻金属之总含有量为10ppm以下,U、Th等之放射性元素之总含有量为1ppb以下。图式简单说明:图1显示实施例之累积电力量及粒子发生状况的相关图。图2显示比较例之累积电力量及粒子发生状况的相关图。
地址 日本