| 主权项 |
1.一种电子束曝光装置,为复数之电子束在晶圆曝光之装置,其特征为包括:一第一偏向部,可将该复数的电子束独立偏向,一电流量取得部,可个别取得该复数的电子束之电流量,一修正値计算部,依据上述之电流量,计算修正上述复数的电子束之照射位置的修正値,以及一偏向控制部,依据上述修正値控制上述偏向部。2.如申请专利范围第1项所述之电子束曝光装置,加设反射力计算部,可算出前述复数之电子束相互排拒之反射力,其中前述修正値计算部系依据该反射力算出修正値。3.如申请专利范围第1项所述之电子束曝光装置,加设成形部件,将前述之复数的电子束之断面形成所定的形状,其中前述之第一偏向部,设于该成形部件与上述晶圆之间,该成形部件,可将前述之复数的电子束个别形成有预定之面积及形状的断面,前述电流取得部,依据前述之电流量及该预定之面积,取得通过该成形部件之电子束的电流量。上述修正値计算部,依据通过前述成形部件的电子束的电流量,算出前述之修正値。上述之偏向控制部,根据该修正値,控制通过该成形部件之电子束的照射位置。4.如申请专利范围第1项所述之电子束曝光装置,再加配:第一成形部件,用以形成上述复数之电子束的断面,及第二成形部件,将通过该第一成形部件的复数电子束之断面形成预定的形状,其中前述一偏向部,设于该第一成形部件与第二成形部件之间,前述偏向控制部,控制通过该第一成形部件之电子束的照射位置。5.如申请专利范围第4项所述之电子束曝光装置,其中该第一成形部件,有复数之开口部将前述复数之电子束的断面成形,前述电流量取得部,基于前述电流量及该复数之开口部的大小,取得通过第一成形部件之电子束的电流量,前述修正値计算部,依据上述通过第一成形部件之电子束的电流量,算出上述之修正値,前述偏向控制部,依据该修正値,控制前述通过第一成形部件之电子束的照射位置。6.如申请专利范围第4项所述之电子束曝光装置,加设第二偏向部于第二成形部件与晶圆之间,用以将前述之复数的电子束独立偏向,其中前述之第二成形部件,将前述之复数的电子束的断面,成形为具有所定的面积的形状,该电流量取得部,基于前述之电流量及所定之面积,取得通过该第二成形部件之电子束的电流量,该修正値计算部,依据上述之通过第二成形部件之电束的电流量,算出前述之修正値,该偏向控制部,依据该修正値,控制通过第二成形部件的电子束射位置。7.一种电子束曝光方法,系利用复数的电子束在晶圆曝光图案之方法,其特征为包括:电子束发生阶段,发生复数的电子束,及电流量取得阶段,取得前述复数的电子束之各别的电流量,及修正値计算阶段,依据上述电流量,算出修正上述复数之电子束的照射位置之偏离的修正値,以及曝光阶段,依据上述修正値,将前述复数之电子束,独立偏向曝光。8.一种半导体元件制造方法,系利用复数之电子束在晶圆曝光图案,以制造半导体元件之方法,其特征为包括:电子束发生阶段,发生复数的电子束,及电流量取得阶段,取得上述复数的电子束之各别的电流量,及修正値计算阶段,依据上述电流量,算出该复数的电子束之照射位置偏离的修正値,以及曝光阶段,依据上述修正値,将前述复数的电子束,独立偏向曝光。图式简单说明:第1图示本发明实施例之电子束曝光装置100之构成。第2图示本实施例之控制系统140构成之一例。第3图示本实施例之半导体元件制造工程的流程图之一例。 |
