| 主权项 |
1.一种防止对准标记移位之半导体晶圆加工方法,包含:提供一半导体晶圆,该晶圆具有用于制造积体电路之第一部分与包括对准标记之第二非制造部分;将掺质导入该第一部分,使得该部分之辐射能量吸收率增加且辐射能量透射率减少;将掺质导入该第二部分,使得该部分之辐射能量吸收率增加且辐射能量透射率减少;及将该晶圆置入一快速热处理机内,侦测来自该快速热处理机内之该第一与第二掺杂部分的热发散,并加热该第一与第二掺杂部分,使得该晶圆上之热应力与该对准标记之移位可被防止。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,该掺质系为相同种类与剂量。3.如申请专利范围第1项之方法,其中,该掺质系以大于每立方公分11017掺质之等级导入该第一与第二部分中。4.如申请专利范围第1项之方法,其又包含透过离子布植而导入该掺质。5.如申请专利范围第4项之方法,其中,该掺质系以相同强度与相同剂量布植入该第一与第二部分。6.如申请专利范围第1项之方法,其中,在掺质导入之后,该第一与第二部分中产生表面非晶化。7.如申请专利范围第1项之方法,其中,表面非晶化产生于二部分中的相同深度。8.如申请专利范围第1项之方法,其中,该掺杂系同时发生。9.如申请专利范围第1项之方法,其中,该掺质系选自砷、硼与硫所组成的群组。10.如申请专利范围第1项之方法,其又包含将该晶圆移出该快速热处理机,并在一步进作业中将该对准标记对准一步进机对准图案。11.如申请专利范围第1项之方法,其又包含在一步进作业中遮盖该第一部分之选择区域,并将该第一部分之未选择区域与该第二部分之未选择区域暴露至掺质。12.如申请专利范围第11项之方法,其又包含程式化一步进机,以防止遮盖该掺杂部分。13.如申请专利范围第1项之方法,其又包含在该快速热处理之后,使该对准标记保持在该第一部分之相同位置。14.如申请专利范围第1项之方法,其又包含使该对准标记保持在该第一部分之未超过一步进机之一修正限度之位置。15.如申请专利范围第1项之方法,其中,该第一与第二部分系处理成可防止部分间之显着温度差异产生之温度。16.如申请专利范围第1项之方法,其中,该掺质系以相同能量等级导入。17.如申请专利范围第1项之方法,其中,该掺质系为掺质离子。18.如申请专利范围第1项之方法,其又包含将全域对准标记蚀刻至该第二部分中。19.如申请专利范围第1项之方法,其中,该对准标记包含复数个沟槽。20.如申请专利范围第1项之方法,其又包含在该快速热处理室中藉由退火而活化该掺质。21.一种防止对准标记移位之半导体晶圆加工方法,包含:提供一半导体晶圆,该晶圆具有一用于制造积体电路之第一部分与一具有对准标记之第二非制造部分;在该第一与第二部分上形成一牺牲氧化物层;在该牺牲层上形成一导电闸极材料;将该闸极材料图案化,使得暴露之氧化物区域形成于该第一制造部分与该第二非制造部分中;将掺质导入该暴露区域,使得该暴露区域之辐射能量吸收率增加且该暴露区域之辐射能量透射率减少;移除该牺牲氧化物层之暴露部分;及将该晶圆置入一快速热处理机内,侦测来自该快速热处理机内之该暴露区域的热发散,并加热该第一与第二部分,使得该晶圆上之热应力与该对准标记之移位可被防止。22.如申请专利范围第21项之方法,其又包含在移除该牺牲氧化物层后,将额外的掺质导入该第一与第二部分中。23.如申请专利范围第21项之方法,其又包含将该闸极材料图案化,使得该闸极材料留置于该第一部分之选择区域、并从该第一部分与第二部分之非选择区域移除,因此可暴露出该第一与第二部分之非选择区域,包括对准标记。24.如申请专利范围第21项之方法,其中,在该掺质导入之后,该暴露部分中产生表面非晶化。25.如申请专利范围第21项之方法,其中,导入掺质系藉由离子布植而进行。26.如申请专利范围第21项之方法,其中,该等部分系加热至可防止部分间之产生显着温度差异之温度。27.如申请专利范围第21项之方法,其中,导入该第一部分之该暴露区域中之掺质的能量、种类与剂量系相同于导入该第二部分之掺质的能量、种类与剂量。28.如申请专利范围第21项之方法,其中,该对准标记包含复数个沟槽。29.如申请专利范围第21项之方法,其又包含同时地掺杂该等部分。30.一种防止对准标记移位之半导体晶圆加工方法,包含:提供一半导体晶圆,该晶圆具有一用于制造积体电路之第一掺杂部分与一包括对准标记之第二掺杂非制造部分,该等掺杂部分在快速热处理期间可显现一增加之辐射能量吸收率与一减少之辐射能量透射率;及将该晶圆置入一快速热处理机内,侦测来自该快速热处理机内之该等掺杂部分的热发散,并加热该第一与第二掺杂部分,使得该晶圆上之热应力与该对准标记之移位可被防止。图式简单说明:图1系为一半导体晶圆与其上方之步进机成操作关系之分解斜视图。图2系为图1所示晶圆之部分放大上视平面图,显示一组对准标记。图3系为图1之半导体晶圆在掺杂之前的部分侧视平面图。图4系为图3之晶圆在本发明之掺杂步骤期间的侧视平面图。图5系为图1本发明方法所制造之半导体晶圆放入一快速热处理机中的侧视平面图。图6A-6G系为利用本发明方法设置图案并掺杂之晶圆的部分侧视图。 |
