| 主权项 |
1.一种污染屏障,用以使来自辐射源之辐射通过,及捕捉来自该辐射源之碎片,该污染屏障含有多个片层由主轴于辐射方向扩张,该等片层各自位于含有该主轴之个别平面上,特征在于该污染屏障包含一内环及一外环,及该等片层各自可滑动地位在该内及外环中至少一个之沟之至少一外终端。2.如申请专利范围第1项之污染屏障,特征在于该片层和该内及外环中至少一个热连接。3.如申请专利范围第1或2项之污染屏障,特征在于该污染屏障含有第一遮蔽用以保护内环不受该辐射源之辐射撞击。4.如申请专利范围第3项之污染屏障,特征在于该污染屏障含有第二遮蔽用以阻隔来自该第一遮蔽之热辐射。5.如申请专利范围第3项之污染屏障,特征在于在该第一遮蔽相对于该沿该主轴该辐射源所发辐射行进方向上游,提供一第三遮蔽,用以降低该辐射源直接辐射造成之第一遮蔽发热。6.如申请专利范围第5项之污染屏障,特征在于该第三遮蔽相对于该第一遮蔽实质上热隔绝。7.如申请专利范围第6项之污染屏障,特征在于该第三遮蔽和该第一遮蔽连接。8.如申请专利范围第3项之污染屏障,特征在于该污染屏障含有至少一冷却条用以支撑该第一遮蔽,该至少一冷却条和该外环热连接。9.如申请专利范围第8项之污染屏障,特征在于该第一遮蔽含有多个遮蔽组件,各遮蔽组件由一分开之冷却条和该外环连接。10.如申请专利范围第4项之污染屏障,特征在于该污染屏障含有一第一冷却装置用以冷却该第一及第二遮蔽中至少一个。11.如申请专利范围第1或2项之污染屏障,特征在于该污染屏障含有一第二冷却装置用以冷却该内环。12.如申请专利范围第1或2项之污染屏障,特征在于该污染屏障含有一第三冷却装置用以冷却该外环。13.如申请专利范围第1或2项之污染屏障,特征在于该片层于该个别平面弯曲,及该内及外环形状是圆锥管片。14.如申请专利范围第1或2项之污染屏障,特征在于面向该辐射源使用之该片层第一侧较该片层其余部分厚。15.一种辐射系统,含有:如以上申请专利范围任一项之一污染屏障;以及用以收集通过该污染屏障之辐射之一收集器。16.一种辐射系统,含有:一污染屏障,用以使一辐射源之辐射通过及捕捉来自该辐射源之碎片,该污染屏障含有多个片层,以及一收集器,用以收集通过该污染屏障之辐射,特征在于该片层表面覆盖之材质和该收集器之光表面相同。17.一种微影投影装置,含有:一用以固定样式化装置之支撑结构,由辐射投影束幅射以将辐射投影束样式化,一基板台,用以固定基板,以及一投影系统,用以将该样式化装置之幅射部分映至该基板靶部分,其中该投影装置含有一辐射系统用以如申请专利范围第15或16项提供辐射投影束。18.一种利用微影处理制造积体结构之方法含有以下步骤:提供一辐射系统,以形成由一辐射源辐射之辐射投影束,由如申请专利范围第15或16项之辐射系统辐射该投影束,提供固定样式化装置之一支撑结构,该样式化装置由该投影束幅射以将该投影束样式化,提供用以固定一基板之一基板台,提供用以将该样式化装置幅射部分映在该基板靶部分之一投影系统。图式简单说明:图1概略说明微影投影装置;图2显示一实施例中图1装置一部分之侧视图,即EUV照明系统及投影光学;图3显示依照本发明一实施例具一内及外环、及片层之箔收集板;图4显示具一冷却条及一热遮蔽之箔收集板;图5是依照本发明一实施例之内环3D图;图6显示依照本发明之箔收集板之片层详细范例;图7显示具一冷却条及二热遮蔽之箔收集板;以及图8显示具一冷却条及二热遮蔽之箔收集板替代实施例。 |
