发明名称 场致发光元件之制造方法
摘要 本发明之主要目的在于提供一种场致发光(EL)元件之制造方法,其在使用光微影法形成发光部时,避免在形成为图案状的各发光部上沉积几层的多余层的状态,而可在该多余层的剥离步骤中,容易且迅速地进行剥离处理者。作为解决手段,为了达成上述目的,本发明提供一种EL元件之制造方法,在使用光微影法的EL元件的制造方法中,其特征为具备如下步骤:于设有表面具有光阻层的至少为1色的发光部的基板上,涂敷与上述发光部呈互异颜色的异色发光层形成用涂敷液,形成异色发光层的步骤;于上述异色发光层上涂敷光阻,形成异色发光层用光阻层的步骤;将上述异色发光层用光阻层进行图案曝光,藉由显像以残留形成异色发光部的部分的异色发光层用光阻层的方式进行图案处理的步骤;及藉由除去经去除上述异色发光层用光阻层的部分的异色发光层,而形成表面具有异色发光层用光阻层的图案状的异色发光部的步骤。
申请公布号 TWI231156 申请公布日期 2005.04.11
申请号 TW092103507 申请日期 2003.02.20
申请人 大印刷股份有限公司 发明人 伊藤范人;立川智之
分类号 H05B33/10 主分类号 H05B33/10
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号1112室;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号1112室
主权项 1.一种场致发光元件之制造方法,系使用光微影法者,其特征为具备如下步骤:于设有表面具有光阻层的至少为1色的发光部的基板上,涂敷与上述发光部呈互异颜色的异色发光层形成用涂敷液,形成异色发光层的步骤;于上述异色发光层上涂敷光阻,形成异色发光层用光阻层的步骤;将上述异色发光层用光阻层进行图案曝光,藉由显像以残留形成异色发光部的部分的异色发光层用光阻层的方式进行图案处理的步骤;及藉由除去经去除上述异色发光层用光阻层的部分的异色发光层,而形成表面具有异色发光层用光阻层的图案状的异色发光部的步骤。2.一种场致发光元件之制造方法,系使用光微影法者,其特征为具备如下步骤:于设有表面具有第1光阻层的第1发光部的基板上,涂敷第2发光层形成用涂敷液,形成第2发光层的步骤;于上述第2发光层上涂敷光阻,形成第2光阻层的步骤;将上述第2光阻层进行图案曝光后,藉由显像以残留形成第2发光部的部分的第2光阻层的方式进行图案处理的步骤;藉由除去经去除上述第2光阻层的部分的第2发光层,而形成表面具有第2光阻层的图案状的第2发光部的步骤;于设有表面具有上述第1光阻层的上述第1发光部,及具有上述第2光阻层的上述第2发光部的基板上,涂敷第3发光层形成用涂敷液,形成第3发光层的步骤;于上述第3发光层上涂敷光阻,形成第3光阻层的步骤;将上述第3光阻层进行图案曝光后,藉由显像以残留形成第3发光部的部分的第3光阻层的方式进行图案处理的步骤;及藉由除去经去除上述第3光阻层的部分的第3发光层,而形成表面具有第3光阻层的图案状的第3发光部的步骤。3.如申请专利范围第1项之场致发光元件之制造方法,其中,上述各发光层为不溶于光阻溶剂、光阻显像液及光阻剥离液者,且各光阻层为不溶于上述各发光层形成用的溶剂者。4.如申请专利范围第2项之场致发光元件之制造方法,其中,上述各发光层为不溶于光阻溶剂、光阻显像液及光阻剥离液者,且各光阻层为不溶于上述各发光层形成用的溶剂者。5.如申请专利范围第1项之场致发光元件之制造方法,其中,上述各发光部为与缓冲层一起进行图案处理而形成于缓冲层上者。6.如申请专利范围第2项之场致发光元件之制造方法,其中,上述各发光部为与缓冲层一起进行图案处理而形成于缓冲层上者。7.如申请专利范围第1至6项中任一项之场致发光元件之制造方法,其中,在使用上述光微影法之场致发光元件之制造方法中,藉由于被图案处理之各发光层上涂敷光阻进行曝光、显像,将各光阻层图案处理后,使用乾式蚀刻对除去各光阻层的部分的各发光层进行图案处理。8.如申请专利范围第7项之场致发光元件之制造方法,其中,上述乾式蚀刻为反应性离子蚀刻。9.如申请专利范围第7项之场致发光元件之制造方法,其中,于上述乾式蚀刻中使用氧单体或是含氧的气体。10.如申请专利范围第7项之场致发光元件之制造方法,其中,于上述乾式蚀刻中使用大气压电浆。图式简单说明:图1(a)~(j)为显示本发明之EL元件之制造方法之一例的步骤图。图2(a)~(j)为显示习知EL元件之制造方法的一例的步骤图。
地址 日本