| 主权项 |
1.一种读出电路,包括:一在一预充电阶段充电到一预定电压之电容器;一在一预充电阶段启动以选择性地将该电容器充到该预定电压之预充电电晶体;以及一闸极受到一光感应元件之一输出信号所调制之图素输出电晶体,该图素输出电晶体在一读出阶段与该电容器连接,以便选择性地将该电容器放电。2.如申请专利范围第1项之读出电路,更包括一闸极与该电容器耦接之放大输出电晶体,以使得一读出阶段完成之后,该电容器上储存的电压调制该放大输出电晶体上之电流。3.如申请专利范围第1项之读出电路,更包括一该电容器与该图素输出电晶体之间之列选择电晶体。4.一种读出电路,包括:一电容器;一在一放电阶段启动以选择性地将该电容器放电之放电电晶体;以及一闸极受到一光感应元件之一输出信号所调制之图素输出电晶体,该图素输出电晶体在一读出阶段与该电容器连接,以便选择性地将该电容器充电。5.如申请专利范围第4项之读出电路,更包括一闸极与该电容器耦接之放大输出电晶体,以使得一读出阶段完成之后,该电容器上储存的电压调制该放大输出电晶体上之电流。6.如申请专利范围第4项之读出电路,更包括一该电容器与该图素输出电晶体之间之列选择电晶体。7.一种从一图素读出一光信号之方法,包括:在一预充电阶段充电一电容器;透过一图素输出电晶体放电该电容器,该图素输出电晶体系由该光信号所调制;以及决定该电容器所保持之电压以作为一输出信号。8.如申请专利范围第7项之从一图素读出一光信号之方法,更包括藉由将该输出信号加到一放大输出电晶体之闸极来放大该输出信号。9.如申请专利范围第7项之从一图素读出一光信号之方法,其中该电容器的充电过程系将该电容器充到一预定电压。10.如申请专利范围第7项之从一图素读出一光信号之方法,其中该电容器之放电过程要经历一段预定长度之时间。11.如申请专利范围第9项之从一图素读出一光信号之方法,其中该光信号调制该图素输出电晶体系透过施加该光信号到该图素输出电晶体之闸极上。12.一种从一图素读出一光信号之方法,包括:在一预充电阶段充电一电容器到一预定电压;在一段预定长度之时间透过一图素输出电晶体放电该电容器,该光信号调制该图素输出电晶体系透过施加该光信号到该图素输出电晶体之闸极上;以及决定该电容器所保持之电压以作为一输出信号。13.如申请专利范围第12项之从一图素读出一光信号之方法,更包括藉由将该输出信号加到一放大输出电晶体之闸极来放大该输出信号。14.一种从一图素读出一光信号之方法,包括:放电一电容器;在一段预定长度之时间透过一图素输出电晶体充电该电容器,该光信号调制该图素输出电晶体系透过施加该光信号到该图素输出电晶体之闸极上;以及决定该电容器所保持之电压以作为一输出信号。15.如申请专利范围第14项之从一图素读出一光信号之方法,更包括藉由将该输出信号加到一放大输出电晶体之闸极来放大该输出信号。图式简单说明:图一所显示为根据本发明之形成一读出电路之一示意图。图二所显示为根据本发明之一实施例形成一读出电路之一示意图。图三所显示为根据本发明之另一实施例形成一读出电路之一示意图。图四所显示为根据本发明之再一实施例形成一读出电路之一示意图。图五所显示为根据本发明之又一实施例形成一读出电路之一示意图。 |
