| 主权项 |
1.一种光学显示用可挠式塑胶基板,其系为一主要包含有环烯聚合物(cyclic olefin copolymer:COC)之薄膜,该薄膜之光穿透度为81%~93%,水气穿透度为0.42gm/m2-day~0.48gm/m2-day,粗糙度Ra为1.25nm(nanometer)~1.5nm。2.一种光学显示用可挠式塑胶基板之制法,其系包含有:将环烯聚合物(cyclic olefin copolymer:COC)布置于上下耐热薄片(11)(110)之中;将耐热薄片连同该环烯聚合物置于热压机的上下加压板之间,做加温及加压而形成环烯聚合物(COC)薄膜;取出环烯聚合物(COC)薄膜,并置于冰水中进行淬火处理;将做完上述淬火后的环烯聚合物(COC)薄膜,置于两片平板之中而形成三明治状,并将平板连同环烯聚合物(COC)薄膜做热处理;及取出该环烯聚合物薄膜。3.如申请专利范围第2项所述之光学显示用可挠式塑胶基板之制法,其中,在热压机的加压温度为200℃~280℃,加压压力値为80kg/cm2~120kg/cm2,且持续加压时间为1.5分钟~2.5分钟;淬火处理的温度为5℃~0℃,时间为1~3分钟;热处理为退火,且退火的温度为200℃~300℃,时间为3~5小时。4.如申请专利范围第2项所述之光学显示用可挠式塑胶基板之制法,其中,将环烯聚合物布置于上下耐热薄片,系将环烯聚合物布置于上下铝箔之间。5.一种用以制造光学显示用可挠式塑胶基板之装置,其系包含有:具有上下加压板与加压动力装置之热压机;装有冰水以提供淬火工作之冰水槽;提供热处理之真空烘箱;真空马达,用以将该烘箱抽至真空;两个可用以夹置环烯聚合物薄膜之平板;加热器,用以对该烘箱内部进行加温;及用以控制该加热器之温度控制器。6.如申请专利范围第5项所述之用以制造光学显示用可挠式塑胶基板之装置,其中,真空马达与烘箱之间连通的通道上设置过滤器,用以对抽出之空气做适当的过滤。7.如申请专利范围第5项所述之用以制造光学显示用可挠式塑胶基板之装置,其中,该平板为玻璃。8.一种以光学显示用可挠式塑胶基板制造有机发光二极体,其系包含有:在环烯聚合物COC塑胶基板一面上溅镀ITO透明导电薄膜;于该导电薄膜上依序真空蒸镀奈基-苯基联苯胺NPB(Naphthyl-phenyl benzidine)、氧化铝AlQ3及氟化锂LiF;蒸镀完毕后,被真空至常压;取出已镀好有机薄膜的该塑胶基板,拿至热蒸镀机蒸镀铝材以作为阴极;及完成有机发光二极体(OLED)制作。9.一种以光学显示用可挠式塑胶基板制成之有机发光二极体,其包含有:一环烯聚合物COC薄膜;一披覆于该环烯聚合物COC塑胶基板之ITO透明导电薄膜;于该导电薄膜上依序真空蒸镀有一层奈基-苯基联苯胺NPB(Naphthyl-phenyl benzidine)、一层氧化铝AlQ3及一层氟化锂LiF。10.一种以光学显示用可挠式塑胶基板制成之可挠式薄膜电晶体TFT,其系包含有:一环烯聚合物COC薄膜;二层二氧化矽SiO2分别披覆在该COC薄膜上下;一非晶矽层披覆在一二氧化矽上;一闸极氧化层设在该非晶矽层上;一铝层设在该闸极氧化层;一源极与一汲极设在该非晶矽层上;及一绝缘层包覆该铝层、该闸极氧化层、该源极与该汲极。图式简单说明:第一图系本发明之制造流程示意图。第二图系本发明环烯聚合物布置在两铝箔片内之立体示意图。第三图系本发明环烯聚合物布置在两铝箔片内之断面示意图。第四图系本发明热压示意图。第五图系本发明淬火示意图。第六图系本发明真空烘箱热处理示意图。第七图系本发明COC塑胶基板和传统PET塑胶基板于可见光谱下之光学穿透度之比较。第八图系本发明COC塑胶基板和传统PET塑胶基板水气穿透度比较图。第九图系本发明塑胶基板之粗糙度量测图。第十图系传统PET塑胶基板之粗糙度量测图。第十一图系本发明所采用环烯聚合物(COC)之化学结构图。第十二图系本发明所采用COC塑胶基板所研制OLED之结构与所使用材料之化学结构图。第十三图系本发明所使用溅镀系统示意图。第十四图系本发明所使用热蒸镀系统示意图。第十五图系本发明TFT制程步骤1示意图。第十六图系本发明TFT制程步骤2示意图。第十七图系本发明TFT制程步骤3示意图。第十八图系本发明TFT制程步骤4示意图。第十九图系本发明TFT制程步骤5示意图。第二十图系本发明TFT制程步骤6示意图之一。第二十一图系本发明TFT制程步骤6示意图之二。第二十二图系本发明TFT制程步骤7示意图。 |
