| 主权项 |
1.一种电路板表面之微细粗糙化方法,系包括:提供待形成表面粗糙化之电路板;提供表面已进行粗化处理之硬质板;以及将该电路板与硬质板进行压合转印,以于该电路板表面形成微细粗糙化结构。2.如申请专利范围第1项之电路板表面之微细粗糙化方法,其中,该硬质板之材质为塑性板及金属板之其中一者。3.如申请专利范围第1或第2项之电路板表面之微细粗糙化方法,其中,该硬质板系藉由电浆(Plasma)、反应离子蚀刻(Reactive ionic etching, RIE)、光学蚀刻(Photo etching)及离子金属电浆(Ion metal plasma, IMP)其中一制程方式以在其表面形成粗化。4.如申请专利范围第1项之电路板表面之微细粗糙化方法,其中,该电路板为单层、双层及多层电路板之其中一者。5.如申请专利范围第1项之电路板表面之微细粗糙化方法,其中,该电路板主要包含有绝缘芯层与形成于该绝缘芯层上之图案化线路层,且该电路板表面系形成有一绝缘层,该绝缘层系经薄化以外露出该电路板中欲进行接合之线路层。6.如申请专利范围第1或第5项之电路板表面之微细粗糙化方法,其中,该电路板之表面可进行平坦化制程,以提升后续表面粗糙化品质。7.如申请专利范围第1或5项之电路板表面之微细粗糙化方法,其中,该电路板表面复可进行活化处理,藉以进一步提升表面附着力。8.如申请专利范围第7项之电路板表面之微细粗糙化方法,其中,该活化处理系包括电浆(Plasma)、反应离子蚀刻(Reactive ionic etching, RIE)、光学蚀刻(Photoetching)与离子金属电浆(Ion metal plasma, IMP)制程之其中一方式。9.如申请专利范围第1项之电路板表面之微细粗糙化方法,其中,该电路板主要包含有绝缘芯层与形成于该绝缘芯层上之图案化线路层,另该电路板表面系形成有一绝缘层,且该绝缘层系形成有复数开口以外露出部分欲进行接合之线路层。10.如申请专利范围第9项之电路板表面之微细粗糙化方法,其中,该电路板表面之绝缘层材质最佳系采用未经烘烤固化(Cure)而呈B阶段化(B-stage),藉以提升后续表面粗糙化品质。11.如申请专利范围第9项之电路板表面之微细粗糙化方法,其中,该电路板表面绝缘层复可进行活化处理,藉以进一步提升表面附着力。12.如申请专利范围第11项之电路板表面之微细粗糙化方法,其中,该活化处理系包括电浆(Plasma)、反应离子蚀刻(Reactive ionic etching, RIE)、光学蚀刻(Photo etching)与离子金属电浆(Ion metal plasma, IMP)制程之其中一方式。13.如申请专利范围第1项之电路板表面之微细粗糙化方法,其中,该粗糙程度系为奈米级粗化。图式简单说明:第1A至1C图系习知利用压合方式形成多层电路板之制程示意图;第2A至2E图系习知利用增层方式形成多层电路板之制程示意图;第3A至3D图系本发明之电路板表面之微细粗糙化方法剖面示意图;以及第4A至4D图系本发明之电路板表面之微细粗糙化方法另一实施态样之剖面示意图。 |
