高深宽比微结构电沉积设备

摘要

一种可电沉积高深宽比的金属微结构的设备。本装置采用尺寸安定性阳极，阳极是中空多孔的圆盘状结构，在阳极上钻有适当的微细孔，电铸液由阳极喷向阴极。阴极的矽晶圆水平置放，其上的高深宽比的微孔朝上，电铸时在阴极产生的氢气，容易因为浮力上升离开微孔，辅以超音波震荡器震荡阴极，将可大幅提升去除氢气的能力；由微细孔产生的喷流加上超音波震荡的效果，增加微孔内的质传效能，降低电铸件中空孔洞的形成。阴极以马达带动旋转，使得阳极仅需钻适当的微细孔，喷流的效果即可达到整个矽晶圆面积。

主权项

1.一种高深宽比微结构电沉积设备,至少包含: (a)电铸槽,设有能对矽晶圆及其它半导体基板实施 电铸之装置,矽晶圆及半导体基板系固定在阴极上 ,阴极下设有传动机构连接至马达,由马达带动阴 极旋转;阴极上方设有中空多孔圆盘状的阳极,在 阳极上钻有许多微细孔洞,电铸液由阳极的微细孔 洞中喷向阴极; (b)调整槽,设有吸附杂质的弱电解装置和控制电铸 液的加热器。 2.如申请专利范围第1项所述之高深宽比微结构电 沉积设备,其中可在电铸槽的边壁或阴极的结构加 上超音波源震动源。 3.如申请专利范围第1项所述之高深宽比微结构电 沉积设备,其中带动阴极的马达转速范围在0~100rpm 。 4.如申请专利范围第1项所述之高深宽比微结构电 沉积设备,其中电铸槽和调整槽为密封式。 5.如申请专利范围第1项所述之高深宽比微结构电 沉积设备,其中阳极上的微细孔洞的排列方式,必 须符合旋转360度后可涵盖整个矽晶圆表面。 6.如申请专利范围第5项所述之高深宽比微结构电 沉积设备,其中阳极上的微细孔洞,可为一长度为 半径的狭缝、一字型排列的微细孔洞或十字排列 的微细孔洞。 7.如申请专利范围第5项所述之高深宽比微结构电 沉积设备,其中阳极上的微细孔洞的直径范围可为 10微米至5厘米。 图式简单说明: 第一图 习知电铸设备的实施例,中国台湾新型专 利,公告编号473811 第二图 习知电铸设备的实施例,美国专利号码5,932 ,076 第三图 习知电铸设备的实施例,美国专利号码6,217 ,727 第四图 本创作之电铸槽 第五图 本创作之阳极喷流元件侧向剖面图 第六图 本创作之阳极喷流元件侧向下视图 第七图 本创作之电铸槽之系统图