| 主权项 |
1.一种薄膜形成装置,其主要是一将真空容器的内 部隔离成二室的导电性隔壁板设在上述真空容器 内,在上述二室之中,其中一室形成为已配置了高 频电极的电浆产生空间,而另一室则形成为已配置 了用于搭载基板之基板保持机构的成膜处理空间, 在上述导电性隔壁板则形成有让上述电浆产生空 间与上述成膜处理空间相连通的多个贯通孔,将藉 由放电电浆而产生所希望之活性种的气体导入到 上述电浆产生空间,而通过上述导电性隔壁板的多 个的上述贯通孔,将在上述电浆产生空间内所产生 之所希望的上述活性种供给到上述成膜处理空间, 更且,在上述导电性隔壁板则具有从上述电浆产生 空间被隔离,且经由多个的材料气体扩散孔而与上 述成膜处理空间相通的第一内部空间,从外部将材 料气体导入到该第一内部空间,而经由多个的上述 材料气体扩散孔被供给到上述成膜处理空间,利用 被供给到上述成膜处理空间的上述活性种与上述 材料气体的反应,而在上述基板上形成膜的薄膜形 成装置,其特征在于: 上述导电性隔壁板更具有从上述第一内部空间隔 离,且经由多个的气体扩散孔而与上述成膜处理空 间相通的第二内部空间,而从外部将上述材料气体 以外的气体导入到该第二内部空间。 2.一种薄膜形成装置,其主要是一将真空容器的内 部隔离成二室的导电性隔壁板设在上述真空容器 内,在上述二室之中,其中一室形成为已配置了高 频电极的电浆产生空间,而另一室则形成为已配置 了用于搭载基板之基板保持机构的成膜处理空间, 在上述导电性隔壁板则形成有让上述电浆产生空 间与上述成膜处理空间相连通的多个贯通孔,将藉 由放电电浆而产生所希望之活性种的气体导入到 上述电浆产生空间,而通过上述导电性隔壁板的多 个的上述贯通孔,将在上述电浆产生空间内所产生 之所希望的上述活性种供给到上述成膜处理空间, 更且,在上述导电性隔壁板则具有从上述电浆产生 空间被隔离,且经由多个的材料气体扩散孔而与上 述成膜处理空间相通的第一内部空间,从外部将材 料气体导入到该第一内部空间,而经由多个的上述 材料气体扩散孔被供给到上述成膜处理空间,利用 被供给到上述成膜处理空间的上述活性种与上述 材料气体的反应,而在上述基板上形成膜的薄膜形 成装置,其特征在于: 上述贯通孔之在电浆产生空间侧的孔径较在成膜 处理空间侧的孔径为小,上述导电性隔壁板更具有 从上述第一内部空间隔离,且经由气体导入孔而与 上述贯通孔相通的第二内部空间,从外部将上述材 料气体以外的气体导入到该第二内部空间。 3.如申请专利范围第1项或第2项之薄膜形成装置, 上述材料气体为单矽烷气体、双矽烷气体、三矽 烷气体,或矽烷气体的其中任一者。 4.如申请专利范围第1项或第2项之薄膜形成装置, 藉由上述电浆产生空间侧的放电电浆来产生所希 望之活性种的气体则含有氧气。 5.如申请专利范围第1项或第2项之薄膜形成装置, 藉由上述电浆产生空间侧的放电电浆来产生所希 望之活性种的气体则含有惰性气体。 6.如申请专利范围第1项或第2项之薄膜形成装置, 被导入到上述第二内部空间的上述材料气体以外 的气体则含有氧气。 7.如申请专利范围第1项或第2项之薄膜形成装置, 被导入到上述成膜处理空间之上述材料气体以外 的气体则含有由一种或二种以上选自氨气、二氧 化氮气体、乙烷气体、乙烯气体所构成的添加气 体。 8.如申请专利范围第1项或第2项之薄膜形成装置, 具备有用来控制藉由上述电浆产生空间侧之放电 电浆来产生所希望之活性种之气体的流量的流量 控制器,以及用来控制被导入到上述第二内部空间 之上述材料气体以外之气体的流量的流量控制器, 而能够个别独立地加以控制。 9.一种薄膜形成方法,系使用薄膜形成装置,该薄膜 形成装置为:在真空容器内设置将该真空容器内部 隔离成二室的导电性隔壁板,在上述二室之中,其 中一室形成为已配置了高频电极的电浆产生空间, 而另一室则形成为已配置了用于搭载基板之基板 保持机构的成膜处理空间; 上述导电性隔壁板具有:让上述电浆产生空间与上 述成膜处理空间相连通的多个贯通孔;从上述电浆 产生空间被隔离,且经由多个的材料气体扩散孔而 与上述成膜处理空间相通的第一内部空间;及由上 述第一内部空间被隔离,且介由多个气体扩散孔与 上述成膜处理空间相连通的第二内部空间者; 将藉由放电电浆而产生所希望之活性种的气体导 入到上述电浆产生空间,而通过上述导电性隔壁板 的多个上述贯通孔将上述电浆产生空间内所产生 之所希望的上述活性种供给到上述成膜处理空间 之同时,从外部将材料气体导入上述第一内部空间 ,该材料气体经由多个上述材料气体扩散孔被供给 到上述成膜处理空间,利用被供给到上述成膜处理 空间的上述活性种与上述材料气体的反应,而在上 述基板上形成薄膜的薄膜形成方法,其特征在于: 在上述基板上形成薄膜时,系从外部将上述材料气 体以外的气体导入到上述第二内部空间,其经由多 个上述气体扩散孔被供给至上述成膜处理空间。 10.一种薄膜形成方法,系使用薄膜形成装置,该薄 膜形成装置为:在真空容器内设置将该真空容器内 部隔离成二室的导电性隔壁板,在上述二室之中, 其中一室形成为已配置了高频电极的电浆产生空 间,而另一室则形成为已配置了用于搭载基板之基 板保持机构的成膜处理空间; 上述导电性隔壁板具有:让上述电浆产生空间与上 述成膜处理空间相连通,而且电浆产生空间侧之孔 径较成膜处理空间侧之孔径为小的多个贯通孔;从 上述电浆产生空间被隔离,且经由多个的材料气体 扩散孔而与上述成膜处理空间相通的第一内部空 间;及由上述第一内部空间被隔离,且介由上述贯 通孔及气体导入孔相连通的第二内部空间者; 将藉由放电电浆而产生所希望之活性种的气体导 入到上述电浆产生空间,而通过上述导电性隔壁板 的多个上述贯通孔将上述电浆产生空间内所产生 之所希望的上述活性种供给到上述成膜处理空间 之同时,从外部将材料气体导入上述第一内部空间 ,该材料气体经由多个上述材料气体扩散孔被供给 到上述成膜处理空间,利用被供给到上述成膜处理 空间的上述活性种与上述材料气体的反应,而在上 述基板上形成薄膜的薄膜形成方法,其特征在于: 在上述基板上形成薄膜时,系从外部将上述材料气 体以外的气体导入到上述第二内部空间,其经由上 述气体导入孔而由上述多个贯通孔被供给至上述 成膜处理空间。 图式简单说明: 图1为表示本发明之第1实施形态之构成的纵断面 概略图。 图2为表示本发明之第2实施形态之构成的纵断面 概略图。 |
