| 主权项 |
1.一种发光二极体封装结构,至少包含: 一基座,具有一凹陷部; 一导电层,固定于该基座中且部份暴露于该凹陷部 内,其余部份由内而外延伸,并藉由一弯折将该导 电层延伸至基座底面,其中该弯折部份的宽度与该 导电层其他部份相同; 一发光二极体晶片,固定于该凹陷部内,并与该导 电层连接;以及 一模塑构件,填入该凹陷部内,藉以封装该发光二 极体晶片。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该基座材质系环氧树脂、玻璃纤维、氧化 钛、氧化钙、液晶高分子、陶瓷或上述材料的组 合。 3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该模塑构件材质系环氧树脂、压克力、矽 胶或上述材料的组合。 4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该模塑构件系以压模、灌胶或粘着的方式 覆盖填入该凹陷部内。 5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结 构,其中该导电层系包含金、银、铜、铂、铝、镍 、锡或镁。 6.一种发光二极体封装结构,至少包含: 一基座,具有一凹陷部; 一导电层,固定于该基座中且部份暴露于该凹陷部 内,其余部份由内而外延伸,并藉由一弯折将该导 电层延伸至基座底面,其中该弯折部份的宽度较该 导电层其他部份宽度大; 一发光二极体晶片,固定于该凹陷部内,并与该导 电层连接;以及 一模塑构件,填入该凹陷部内,藉以封装该发光二 极体晶片。 7.如申请专利范围第6项所述之发光二极体封装结 构,其中该基座材质系环氧树脂、玻璃纤维、氧化 钛、氧化钙、液晶高分子、陶瓷或上述材料的组 合。 8.如申请专利范围第6项所述之发光二极体封装结 构,其中该模塑构件材质系环氧树脂、压克力、矽 胶或上述材料的组合。 9.如申请专利范围第6项所述之发光二极体封装结 构,其中该模塑构件系以压模、灌胶或粘着的方式 覆盖填入该凹陷部内。 10.如申请专利范围第6项所述之发光二极体封装结 构,其中该导电层系包含金、银、铜、铂、铝、镍 、锡或镁。 11.一种发光二极体封装结构,至少包含: 一基座,具有一凹陷部; 一导电层,固定于该基座中且部份暴露于该凹陷部 内,其余部份由内而外延伸,并藉由一弯折将该导 电层延伸至基座底面,其中该弯折部份的宽度较该 导电层其他部份宽度大,且具有至少一V型切口,以 利于弯折加工; 一发光二极体晶片,固定于该凹陷部内,并与该导 电层连接;以及 一模塑构件,填入该凹陷部内,藉以封装该发光二 极体晶片。 12.如申请专利范围第11项所述之发光二极体封装 结构,其中该基座材质系环氧树脂、玻璃纤维、氧 化钛、氧化钙、液晶高分子、陶瓷或上述材料的 组合。 13.如申请专利范围第11项所述之发光二极体封装 结构,其中该模塑构件材质系环氧树脂、压克力、 矽胶或上述材料的组合。 14.如申请专利范围第11项所述之发光二极体封装 结构,其中该模塑构件系以压模、灌胶或粘着的方 式覆盖填入该凹陷部内。 15.如申请专利范围第11项所述之发光二极体封装 结构,其中该导电层系包含金、银、铜、铂、铝、 镍、锡或镁。 图式简单说明: 第1A和1B图系绘示习知的一种发光二极体封装结构 的上视图和侧视图; 第2A和2B图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种 发光二极体封装结构的上视图和侧视图; 第3图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种发光 二极体封装结构固定之示意图;以及 第4图系绘示依照本发明一较佳实施例另一种发光 二极体封装结构固定之示意图。 |
