Selbstausgerichtetes vergrabenes Kontaktpaar und Verfahren zum Ausbilden desselben

摘要

Ein selbstausgerichtetes vergrabenes Kontaktpaar enthält ein Substrat mit Diffusionsbereichen; eine Oxidschicht, welche ein Paar auf dem Substrat ausgebildete Diffusionsbereiche freilegt; zwischen benachbarten Diffusionsbereichen und auf der Oxidschicht ausgebildete Bitleitungen, wobei jede der Bitleitungen Spacer aufweist, die auf ihren Seitenwänden ausgebildet sind; eine über den Bitleitungen und der Oxidschicht ausgebildete erste dielektrische Zwischenschicht (ILD); ein Paar zwischen benachbarten Bitleitungen und innerhalb der ersten ILD-Schicht ausgebildete vergrabene Kontaktpads, wobei jedes vergrabene Kontaktpad zu einem der Paare von freigelegten Diffusionsbereichen in dem Substrat ausgerichtet ist; und ein Kondensatorenpaar, wobei auf jedem der vergrabenen Kontaktpadpaare eines der Kondensatorenpaare ausgebildet ist; wobei ein Paar der Bitleitungsspacer an jedes der vergrabenen Kontaktpads angrenzt und das Bitleitungsspacerpaar eine asymmetrische Form aufweist.