发明名称 晶片级CSP的制造方法
摘要 本发明提供一种晶片级CSP的制造方法,为了大幅地提高整体的制造效率以便更有效地进行热应力缓和柱、绝缘层和焊料块的形成。在晶片(1)上形成由电镀形成的再布线电路(3)的同时,在该再布线电路(3)上形成由焊料等导电材料形成的热应力缓和柱(4),另外,在这些再布线电路(3)和热应力缓和柱(4)的周围,除了该热应力缓和柱(4)的上面,形成由聚酰亚胺等构成的绝缘层(6),此外,在所述热应力缓和柱(4)上形成焊料块(7),而且,通过丝网印刷来形成所述热应力缓和柱(4)、绝缘层(6)和焊料块(7)。
申请公布号 CN1604295A 申请公布日期 2005.04.06
申请号 CN200410078175.0 申请日期 2004.09.17
申请人 南株式会社 发明人 村上武彦
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 戈泊;程伟
主权项 1.一种晶片级CSP的制造方法,其在晶片上形成由电镀形成的再布线电路的同时,在该再布线电路上形成由焊料等导电材料形成的热应力缓和柱,在这些再布线电路和热应力缓和柱的周围,除了该热应力缓和柱的上面,形成由聚酰亚胺等构成的绝缘层,此外,在所述热应力缓和柱上形成焊料块,其特征在于,通过丝网印刷来进行所述热应力缓和柱、绝缘层和焊料块的形成。
地址 日本东京都