V<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>及其掺杂物纳米晶粒陶瓷的制备方法

摘要

本发明涉及V₂O₃及其掺Cr³⁺或Al³⁺球形或准球形纳米晶粒正温度系数(PTC)热敏系列陶瓷的制备方法。该法应用化学掺杂法获得的V₂O₃掺杂纳米粉体，经压片，在H₂气氛中在较低的烧结温度和较短的烧结时间下，首次获得晶粒平均粒径小于100nm陶瓷。该系列陶瓷机械强度高，电性能稳定，临界温度范围窄小，开关性能好，使用温度范围广，室温电阻率低，适用于大电流强度场合使用，且元件能微型化。本发明工艺简单，能耗小，投资小，造价低，便于规模生产，且对环境不造成污染。

主权项

1、一种V2O3及其掺杂物纳米晶粒陶瓷的制备方法，其特征是该方法的具体步骤为：(1)将氧钒(IV)碱式碳酸铵及其掺杂物前驱体在H2气中在400～800℃保温20分钟至60分钟还原热分解，获得平均粒径小于30nm的(V1-xMx)2O3纳米粉体，其中M为Cr或Al或其混合物，0≤x＜0.02；(2)将粉体进行压片，压强为150～300Mpa；(3)在保护气体下加热烧结，温度为1100℃～1400℃，烧结时间为5分钟～100分钟，经冷却即成产。