半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，包括：半导体衬底；形成在上述半导体衬底的上方，包括并含有第1导电型杂质的第1多晶硅膜和形成在第1多晶硅膜上的第1硅化物膜的第1布线；形成在上述半导体衬底的上方并包括与上述第1多晶硅膜连接的、含有第2导电型杂质的第2多晶硅膜和形成在第2多晶硅膜上的第2硅化物膜的第2布线；形成在与上述第1多晶硅膜和第2多晶硅膜的边界区域对应的部分上，并与上述第1硅化物膜和第2硅化物膜相连接的导电连接部；覆盖上述第1和第2布线，并具有其中设置上述导电连接部的孔的绝缘膜；在上述绝缘膜上边形成的上层布线；以及与上述导电连接部隔开形成的其它导电连接部，该其它导电连接部由与上述导电连接部相同的材料形成，上述绝缘膜还具有其中设置上述其它导电连接部的孔，该上层布线与上述其它导电连接部连接。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于包括：半导体衬底；第1布线，该第1布线形成在上述半导体衬底的上方，包括并含有第1导电型杂质的第1多晶硅膜和形成在第1多晶硅膜上的第1硅化物膜；第2布线，该第2布线形成在上述半导体衬底的上方并包括与上述第1多晶硅膜连接的、含有第2导电型杂质的第2多晶硅膜，和形成在第2多晶硅膜上的第2硅化物膜；导电连接部，该导电连接部形成在与上述第1多晶硅膜和第2多晶硅膜的边界区域对应的部分上，并与上述第1硅化物膜和第2硅化物膜相连接；绝缘膜，该绝缘膜覆盖上述第1和第2布线，并具有其中设置上述导电连接部的孔；在上述绝缘膜上边形成的上层布线；以及与上述导电连接部隔开形成的其它导电连接部，该其它导电连接部由与上述导电连接部相同的材料形成，上述绝缘膜还具有其它的孔，其中设置上述其它导电连接部，该上层布线与上述其它导电连接部连接。