| 发明名称 | 具沟槽晶体管的存储单元 | ||
| 摘要 | 该沟槽深度以一种方式被最适化使得电子及电洞注入该储存层(11)的位置相合，该储存层(11)位于该沟槽壁及该栅极电极(4)之间的毗邻层(10、12)。该源极区域(2)与该漏极区域(3)掺杂的接合改变为相反符号(亦即该半导体本体(1)的传导形式之符号)及毗邻该信道区域(5)邻接该沟槽底部(7)的弯曲区域或是该侧向沟槽壁(6、8)的弯曲下方区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1605120A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN02825405.8 | 申请日期 | 2002.12.10 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | F·劳;D·塔卡斯;J·威尔勒 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L27/115;H01L21/8246;H01L29/792 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种具储存晶体管的存储单元，其包含栅极电极(4)于半导体本体(1)或半导体层的顶部表面，此电极位于在沟槽的源极区域(2)及漏极区域(3)之间，此沟槽系由半导体本体或层的半导体材料制造且其至少逐区段地显现横越纵轴方向的相同剖面，于此，该源极区域(2)及漏极区域(3)系藉由自顶部表面掺杂至个别接合(14)而以半导体材料形成，及该栅极电极由介电层(9)以该半导体材料绝缘，介电层(9)被建构做为储存介质，其特征在于该接合(14)在一种区域邻接该沟槽壁，其中位于垂直于纵轴方向的剖面中的该沟槽壁在该接合(14)的高度具在每一点的弯曲半径至多为该沟槽壁的间距(24)的三分之二大。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||