| 发明名称 | 具有硅化物薄膜的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有硅化物薄膜的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括含硅的硅衬底、形成于硅衬底上的栅极氧化物膜、形成于栅极氧化物膜上的含硅的栅极电极、形成于栅极氧化物膜和栅极电极的侧壁上的隔离壁、形成于硅衬底中隔离壁下的LDD区、形成于硅衬底中的源极/漏极区、源极/漏极区和栅极电极上的NiSi薄膜、以及通过采用氩等离子体的表面处理形成于NiSi薄膜上的氮化物膜。于是，具有NiSi薄膜的半导体器件具有低片电阻，且可以获得高热稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN1604339A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN200410075114.9 | 申请日期 | 2004.08.31 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 崔哲柊 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L27/108;H01L21/283;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种具有NiSi薄膜的半导体器件，包括：含硅的硅衬底；形成于该硅衬底上的栅极氧化物膜；形成于该栅极氧化物膜上的含硅的栅极电极；形成于该栅极氧化物膜和该栅极电极的侧壁上的隔离壁；形成于该隔离壁下该硅衬底中的LDD区；形成于该硅衬底中的源极/漏极区；位于该源极/漏极区和该栅极电极上的NiSi薄膜；以及通过采用氩等离子体的表面处理形成于该NiSi薄膜上的氮化物膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||