一种超深隔离槽开口形状的控制方法及产品

摘要

本发明公开了一种体硅集成MEMS技术中超深隔离槽开口形状的控制方法及产品，其技术方案为：首先在硅片表面淀积多晶硅作为牺牲层，再进行深槽刻蚀，刻蚀后将多晶硅牺牲层去掉。(1)在硅片表面形成SiO₂牺牲层；(2)光刻定义槽图形，BOE腐蚀槽形状内的SiO₂牺牲层，少量侧向钻蚀；(3)生长Poly－silicon牺牲层；(4)光刻定义槽形状，DRIE刻蚀Poly－silicon牺牲层和Si衬底，形成深槽；(5)去除Poly－silicon和SiO₂牺牲层；(6)用介质对深槽进行填充。本发明方法有效地改善了超深硅槽的开口形状，用本发明方法制作的芯片产品，其隔离槽内可以充满电介质，避免了空洞的产生，增大了隔离槽的机械强度和可靠性。本发明不仅可以用于体硅集成技术中的电学隔离，而且还可以用于体硅微机械技术中的热学等其它隔离。

主权项

1、一种超深隔离槽开口形状的控制方法，其特征在于：首先在硅片表面淀积1～6微米的多晶硅作为牺牲层，再进行深槽刻蚀，刻蚀后将多晶硅牺牲层去掉，最后用介质进行填充刻蚀好的深槽。