| 发明名称 | 集成电路的斜主动区域半导体组件结构 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体组件结构特征在于包含：闸氧化层，位于底材之上；闸极位于上述闸氧化层之上；斜主动区域(titled active area)，位于该底材的中，该闸极的两侧；接触窗(contact window)，配置于相对应之上述斜主动区域(titled activearea)之上；氧化线性间隙壁(oxide line spacer；OLS)，配置于对应的该接触窗(contact window)之侧，以加宽接触区域用做为存储单元(cell)或储存电极(storage node)接触结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1604333A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN03143423.1 | 申请日期 | 2003.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L27/108 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 谢晋光 |
| 主权项 | 1.一种半导体组件结构，其特征在于包含：闸氧化层，位于底材之上；闸极位于上述闸氧化层之上；斜主动区域，位于该底材之中的该闸极两侧；接触窗，配置于相对应之上述斜主动区域之上；氧化线性间隙壁，配置于对应该接触窗之侧，以加宽接触区域用做为存储单元接触结构。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 | ||