发明名称 |
软磁铁氧体磁心磁控溅射真空镀银工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种软磁铁氧体磁心磁控溅射真空镀银工艺。包括下列步骤:在负偏压300-400V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心进行轰击清洗;在负偏压50-80V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心镀过渡层0.5-1微米;在负偏压50-80V交替镀不锈钢膜层与银膜层,膜厚为1-2微米;在负偏压50-80V镀纯银膜层3-5微米;在负偏压0V镀纯银膜层0.5-1微米。软磁铁氧体磁心经此工艺沉积的银电极,膜厚5-8微米,较化学方法的20-30微米镀膜厚度大大节省原材料,能抗420℃锡炉焊接4分钟以上,而90%的银电极仍然可焊接。 |
申请公布号 |
CN1603458A |
申请公布日期 |
2005.04.06 |
申请号 |
CN200410074623.X |
申请日期 |
2004.09.09 |
申请人 |
蔡育平 |
发明人 |
蔡育平 |
分类号 |
C23C14/35;C23C14/14 |
主分类号 |
C23C14/35 |
代理机构 |
北京英特普罗知识产权代理有限公司 |
代理人 |
齐永红 |
主权项 |
1、一种软磁铁氧体磁心磁控溅射真空镀银工艺,首先将软磁铁氧体磁心放在真空炉内进行加热,其特征在于还包括下列步骤:a.在负偏压300-400V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心进行轰击清洗;b.在负偏压50-80V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心镀过渡层0.5-1微米;c.在负偏压50-80V交替镀不锈钢膜层与银膜层,膜厚为1-2微米;d.在负偏压50-80V镀纯银膜层3-5微米;e.在负偏压0V镀纯银膜层0.5-1微米。 |
地址 |
510080广东省广州市福今路3号大院1号601房 |