发明名称 软磁铁氧体磁心磁控溅射真空镀银工艺
摘要 本发明涉及一种软磁铁氧体磁心磁控溅射真空镀银工艺。包括下列步骤:在负偏压300-400V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心进行轰击清洗;在负偏压50-80V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心镀过渡层0.5-1微米;在负偏压50-80V交替镀不锈钢膜层与银膜层,膜厚为1-2微米;在负偏压50-80V镀纯银膜层3-5微米;在负偏压0V镀纯银膜层0.5-1微米。软磁铁氧体磁心经此工艺沉积的银电极,膜厚5-8微米,较化学方法的20-30微米镀膜厚度大大节省原材料,能抗420℃锡炉焊接4分钟以上,而90%的银电极仍然可焊接。
申请公布号 CN1603458A 申请公布日期 2005.04.06
申请号 CN200410074623.X 申请日期 2004.09.09
申请人 蔡育平 发明人 蔡育平
分类号 C23C14/35;C23C14/14 主分类号 C23C14/35
代理机构 北京英特普罗知识产权代理有限公司 代理人 齐永红
主权项 1、一种软磁铁氧体磁心磁控溅射真空镀银工艺,首先将软磁铁氧体磁心放在真空炉内进行加热,其特征在于还包括下列步骤:a.在负偏压300-400V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心进行轰击清洗;b.在负偏压50-80V用不锈钢靶材对软磁铁氧体磁心镀过渡层0.5-1微米;c.在负偏压50-80V交替镀不锈钢膜层与银膜层,膜厚为1-2微米;d.在负偏压50-80V镀纯银膜层3-5微米;e.在负偏压0V镀纯银膜层0.5-1微米。
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