| 发明名称 | 防止半导体层弯曲的方法和用该方法形成的半导体器件 | ||
| 摘要 | 这里公开了在沟槽侧壁氧化过程中，防止已构图的SOI层弯曲的各种方法，这些方法包括：提供至少具有一个沟槽的已构图的SOI层，所述已构图的SOI层设置在下面埋置的氧化硅层上；以及阻止氧在所述已构图的SOI和埋置的氧化硅层之间的扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN1196190C | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN01123884.4 | 申请日期 | 2001.08.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 安东浩;姜虎圭;裴金钟 |
| 分类号 | H01L21/84;H01L21/76;H01L21/3105;H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/84 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种用于防止在绝缘体上硅(SOI)层的弯曲现象的方法，该方法包括：在SOI型衬底的SOI层中形成沟槽；以及在沟槽的侧壁上形成单晶硅层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||