发明名称 有机场致发光器件中的阴极接触结构
摘要 无源矩阵和有源矩阵有机场致发光(EL)器件可通过使用限定沉积区的单个掩膜并通过将相应的蒸汽流导向沉积区中的衬底上沉积有机EL介质层和阴极而被制成。电绝缘有机遮蔽结构被形成在阴极连接器上,以便在有机EL介质层与遮蔽结构的底部间隔开的一个位置处提供阴极与阴极连接器之间的的电接触。电接触是通过以垂直于衬底的方向引导有机EL材料蒸汽流到衬底上以及通过以一对角引导阴极材料蒸汽流到衬底上而实现的。
申请公布号 CN1196378C 申请公布日期 2005.04.06
申请号 CN01140720.4 申请日期 2001.09.21
申请人 伊斯曼柯达公司 发明人 S·A·范斯利克;C·W·邓
分类号 H05B33/10 主分类号 H05B33/10
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 王岳;张志醒
主权项 1.制做象素化的有机场致发光(EL)器件的一种方法,包括以下步骤:(a)提供一个光透射的衬底,其具有在其上形成的、多个间隔开的光透射的阳极,以及从衬底边缘向里延伸的至少一个阴极连接器,用于提供电连接,使驱动电压可被施加到选择的阳极与至少一个阴极之间,导致由选择的阳极与所述至少一个阴极形成的器件的一个象素的光发射;(b)在所述至少一个阴极连接器上形成电绝缘有机阴极连接器遮蔽结构;(c)提供限定衬底上的沉积区的掩膜,以沉积电绝缘有机EL介质层和在该有机EL介质层上的导电阴极;(d)通过被引导到衬底进入到沉积区的有机EL材料的汽相沉积而第一沉积有机EL介质层,和利用汽相沉积相对于阴极连接器遮蔽结构的方向,使得有机EL介质层的形成终结在与所述至少一个阴极连接器遮蔽结构的底部隔开的一个位置;以及(e)通过被引导到有机EL介质层进入到沉积区的导电材料的汽相沉积而第二沉积导电阴极,和利用汽相沉积相对于阴极连接器遮蔽结构的方向,使得在有机EL介质层上形成导电阴极,导电阴极在有机EL介质层与所述至少一个阴极连接器遮蔽结构的底部间隔开的一个位置处、以与所述至少一个阴极连接器进行电接触而终结。
地址 美国纽约州